网友您好, 请在下方输入框内输入要搜索的题目:

题目内容 (请给出正确答案)
判断题
发生本征吸收的条件是光子能量必须大于半导体的禁带宽度。
A

B


参考答案

参考解析
解析: 暂无解析
更多 “判断题发生本征吸收的条件是光子能量必须大于半导体的禁带宽度。A 对B 错” 相关考题
考题 在低能量价带上聚集着许多电子,而高能量的导带上几乎没有电子,费米能级位于带隙中间。这种半导体称为()。 A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、PN结

考题 受激吸收的特点错误的是A、不是自发产生的B、需要有外来光子的激发才会发生C、外来光子的能量应等于原子激发前后两个能级间的能量差才会发生D、受激吸收对激发光子的振动方向没有限制E、受激吸收对激发光子的传播方向有限制

考题 X射线光子与物质发生相互作用的作用过程是能量传递的过程。当入射光子的能量取值不同时,发生的作用形式是不同的。发生几率不足全部相互作用的5%的是A、相干散射B、光电效应C、康普顿效应D、电子对效应E、光核作用光电效应的发生条件是A、人射光子能量与轨道电子结合能必须是接近相等B、入射光子能量远远小于轨道电子结合能C、入射光子能量远远大于轨道电子结合能D、入射光子能量稍小于轨道电子结合能E、入射光子能量与外层轨道电子结合能相等当入射光子能量远远大于原子外层轨道电子的结合能时发生A、相干散射B、光电效应C、康普顿效应D、电子对效应E、光核作用当入射光子能量等于或大于1.02MeV时可以出现A、相干散射B、光电效应C、康普顿效应D、电子对效应E、光核作用当人射光子能量大于物质发生核反应的阈能时,会发生A、相干散射B、光电效应C、康普顿效应D、电子对效应E、光核作用

考题 若光子能量足够大,则半导体材料中价带的电子吸收光子的能量,从价带越过禁带到达导带。()

考题 禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易,一般半导体材料的禁带宽度越宽,所制作的半导体器件中的载流子()外界因素(如高温和辐射等)的干扰而产生变化。A、越不容易受B、越容易受C、基本不受

考题 用能量()禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。A、低于B、等于或大于C、大于

考题 半导体材料的()(或禁带宽度或Eg)决定半导体材料对太阳光的吸收和光伏电池的光伏能量转换效率。

考题 受激吸收的特点错误的是()A、不是自发产生的B、需要有外来光子的激发才会发生C、不需要有外来光子的激发就会发生D、外来光子的能量应等于原子激发前后两个能级间的能量差才会发生E、受激吸收对激发光子的振动方向没有限制

考题 常温下本征半导体硅的禁带宽度为()eV。A、1.12B、2.14C、1.42D、0.92

考题 何为本征半导体及本征吸收?

考题 X射线光子与物质发生相互作用的过程是能量传递的过程。当入射光子的能量取值不同时,发生的作用形式是不同的。光电效应的发生条件是()A、入射光子能量与轨道电子结合能必须是接近相等B、入射光子能量远远小于轨道电子结合能C、入射光子能量远远大于轨道电子结合能D、入射光子能量稍小于轨道电子结合能E、入射光子能量与外层轨道电子结合能相等

考题 为了使电子从价带激发到导带,入射光子的能量E0应该大于禁带宽度Eg。

考题 要使LED发光,有源层的半导体材料必须是直接带隙材料,越过带隙的电子和空穴能够直接复合而发射出光子。

考题 用能量()禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。A、低于B、等于或大于C、大于D、小于或等于

考题 单选题材料的禁带宽度,最大的是()A 金属;B 杂质半导体;C 绝缘体;D 本征半导体;

考题 单选题用能量()禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。A 低于B 等于或大于C 大于

考题 填空题P型半导体是向本征半导体中参入低价元素形成的。P型半导体中的导电粒子为()。本征半导体的费米能级位于导带与禁带的中间。费米能级的位置随电子浓度的增加而()。

考题 单选题X射线光子与物质发生相互作用的过程是能量传递的过程。当入射光子的能量取值不同时,发生的作用形式是不同的。光电效应的发生条件是()A 入射光子能量与轨道电子结合能必须是接近相等B 入射光子能量远远小于轨道电子结合能C 入射光子能量远远大于轨道电子结合能D 入射光子能量稍小于轨道电子结合能E 入射光子能量与外层轨道电子结合能相等

考题 单选题半导体()电子吸收光子能量跃迁入(),产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。A 价带,导带B 价带,禁带C 禁带,导带D 导带,价带

考题 单选题受激吸收的特点错误的是()A 不是自发产生的B 需要有外来光子的激发才会发生C 不需要有外来光子的激发就会发生D 外来光子的能量应等于原子激发前后两个能级间的能量差才会发生E 受激吸收对激发光子的振动方向没有限制

考题 填空题本征半导体硅的禁带宽度是1.14eV,它能吸收的辐射的最大波长为()。(普朗克恒量h=6.63×10-34J·s,1eV=1.6×10-19J)

考题 单选题本征半导体吸收光子能量使价带中的电子激发到导带,这一过程称为()A 本征吸收B 杂质吸收C 激子吸收D 晶格吸收

考题 判断题本征吸收一定在本征半导体中才会发生。A 对B 错

考题 单选题发生电子对生成现象时,γ光子的能量必须大于( )A 1.022MeVB 1.022keVC 511MeVD 511keVE 140keV

考题 单选题光电效应的发生条件是(  )。A 入射光子能量稍小于轨道电子结合能B 入射光子能量与轨道电子结合能必须是接近相等C 入射光子能量远远大于轨道电子结合能D 入射光子能量远远小于轨道电子结合能E 入射光子能量与外层轨道电子结合能相等

考题 单选题掺有杂质的半导体在光照下,中性施主的束缚电子可以吸收光子而跃迁到导带,同样,中性受主的束缚空穴可以吸收光子而跃迁到价带,这种吸收称为()A 本征吸收B 杂质吸收C 激子吸收D 晶格吸收

考题 单选题用能量()禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。A 低于B 等于或大于C 大于D 小于或等于