考题
锗二极管的死区电压约为()伏。
A. 0.1B. 0.7C. 0.2D. 0.5
考题
三极管的输出特性曲线中,每一条曲线与()对应。
A、输入电压B、基极电压C、基极电流D、输出电压
考题
三极管的输入特性与二极管相似,也有一段死区电压。()
此题为判断题(对，错)。
考题
三极管加正向偏置时存在一个死区电压,锗管死区电压为()V,硅管为()V。
考题
在三极管的输入特性曲线中,锗管的死区电压约为()左右。
A.0.3VB.0.1VC.0.2VD.0.5V
考题
共发射极电路中，晶体三极管的输出特性曲线描述的是三极管的输入电压和输入电流的数量关系。
考题
二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
考题
从输入特性曲线上看，硅管的死区电压约为（）.A、0.1VB、0.3VC、0.5VD、1V
考题
晶体三极管的输入特性曲线是非线性的，当输入电压小于某一临界值时，管子不导通，Ib=0，这个临界电压称为（）A、截止电压B、反向电压C、死区电压D、正向电压
考题
直流配电电屏内放电回路的压降，规定应不大于（）。A、0.3VB、0.1VC、1VD、0.5V
考题
半导体二极管具有显著的单向导电性，外加正向电压时，锗二极管的死区电压一般为（）。A、0.1～0.3VB、0.3～0.5VC、0.5～0.7VD、0.7～0.8V
考题
二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
考题
硅管的死区电压约为（）V，锗管的死区电压约为（）V。
考题
三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压VCE一定时，（）与（）之间的关系。
考题
硅管的死区电压为0.5V，锗管的死区电压为（）。A、0.5VB、0.7VC、0.4VD、0.2V
考题
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
硅二极管的开启电压为0.5V左右，锗二极管为0.1V左右。
考题
硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
二极管具有（）向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为（）V；硅管约为（）V。
考题
硅二极管和锗二极管的死区电压分别约为（）A、0.6V；0.6VB、0.6V；0.1VC、0.1V；0.6VD、0.1V；0.1V
考题
二极（锗）管的死区电压为（）。A、0.1VB、0.2VC、0.3VD、0.5V
考题
硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少？
考题
填空题硅管的死区电压（）伏，锗管的死区电压约为（）伏。
考题
问答题二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
考题
判断题硅二极管的开启电压为0.5V左右，锗二极管为0.1V左右。A
对B
错
考题
单选题晶体三极管工作时，温度升高其死区电压（）；输入特性曲线（）。A
减小／右移B
增大／右移C
增大／左移D
减小／左移
