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在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。
- A、均匀性
- B、表面平整度
- C、自由应力
- D、纯净度
- E、电容
参考答案
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考题
薄膜包衣时，应注意的事项不包括下列哪项（ ）。A．包衣液应均匀喷雾在片心表面B．为掩盖片心颜色可包数层粉衣后再包薄膜衣C．待溶剂挥发干燥后再包下一层D．应注意防止结晶析出以免导致片面不平E．操作中有机溶剂要回收使用
考题
薄膜包衣操作的注意事项，不包括的是A.包衣溶液应均匀喷洒在片心表面B.待溶液挥发干燥后再包第二层C.注意防止结晶的析出致片面不平D.为掩盖片心颜色，可包数层粉衣后再包薄膜衣E.操作中有机溶剂要回收使用
考题
薄膜包衣时，应注意的事项不包括A、包衣液应均匀喷雾在片芯表面B、为掩盖片芯颜色可包数层粉衣后再包薄膜衣C、待溶剂挥发干燥后再包下一层D、注意防止结晶析出以免导致片面不平E、操作中有机溶剂要回收使用
考题
薄膜包衣时，应注意的事项不包括A.包衣液应均匀喷雾在片芯表面B.为掩盖片芯颜色可包数层粉衣后再包薄膜衣C.待溶剂挥发干燥后再包下一层D.注意防止结晶析出以免导致片面不平E.操作中有机溶剂要回收使用
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对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-1，表面反应速率系数ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择（1）冷壁，石墨支座型；（2）热壁，堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。
考题
薄膜包衣时，应注意的事项不包括下列哪项（）A、包衣液应均匀喷雾在片心表面B、为掩盖片心颜色可包数层粉衣后再包薄膜衣C、待溶剂挥发干燥后再包下一层D、应注意防止结晶析出以免导致片面不平E、操作中有机溶剂要回收使用
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