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单结晶体管是由一个发射极和（）组成的晶体管。

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考题 对于单结晶体管,当发射极电压()谷点电压时,单结晶体管恢复截止。 A、小于B、等于C、大于D、远大于
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考题 10)单结晶体管当发射极与基极b1之间的电压超过峰点电压Up时，单结晶体管导通（ ）
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考题 下面是单结晶体管的特点说法正确的是（）。A、当发射极电压等于峰点电压UP时，单结晶体管导通，导通之后，当发射极电压减小到UEV时，管子由导通变为截止B、单结晶体管的发射极与第一基极的电阻RB1随发射极电流增大而变小，RB2则与发射极电流无关C、不同的单结晶体管有不同的UP和UVD、一般单结晶体管的谷点电压在5～10VE、单结晶体管体积小重量轻
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考题 单结晶体管是由（）组成的。A、NPN管B、PNP管C、一个PN结D、两个基极
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考题 单结晶体管达到导通时的发射极电压叫（）电压，从负阻区到饱和区的最小发射极电压叫作（）电压。
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考题 单结晶体管的发射极与第一基极的电阻RB1随发射极电流增大而变大，RB2则与发射极电流无关。
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考题 单结晶体管电路，如发射极电压等于峰点电压UP时，单结晶体管导通，导通后，当发射极电压减小到小于UV时，管子由导通变为截至。（）
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考题 单结晶体管震荡电路是利用单结晶管发射极特性中的（）。A、富阻区B、截止区C、饱和区
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考题 单结晶体管的发射极电压高于谷点电压时，晶体管就导通。
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考题 单结晶体管导通条件表述不正确的是（）。A、发射极电压大于峰点电压B、发射极电压小于峰点电压C、发射极电压小于谷点电压D、发射极电压大于谷点电压
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考题 单结晶体管导通后，其发射极电流小于谷点电流时，就会恢复截止。
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考题 单结晶体管的等效电路是由一个二极管和两个电阻组成的，所以选用一个适当的二极管和两个电阻正确联接后，就能用来取代单结晶体管。
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考题 单结晶体管的图形符号中有（）发射极。A、0个B、1个C、2个D、3个
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考题 单结晶体管由负阻转化为饱的转折点时的发射极电压成为（）电压。A、谷底B、谷点C、峰点D、峰顶
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考题 单结晶体管的发射极电压升到（）电压时，单结晶体管就导通。A、谷点B、峰点C、阴极D、阳极
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考题 单结晶体管触发电路是利用接在发射极的（）充放电原理制作。A、电阻B、电容C、阻容D、电感
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考题 单结晶体管的发射极电压高于（）时就会导通，低于（）时就截止。
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考题 单结晶体管具有一个发射极、一个基极、一个集电极。
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考题 单结晶体管导通条件是（）。A、发射极电压大于峰点电压；B、发射极电压小于峰点电压；C、发射极电压小于谷点电压；D、发射极电压大于谷点电压。
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考题 改变单结晶体管触发电路的振荡频率一般应采用改变什么的方法（）。A、发射极电阻B、电源电压C、振荡电容D、单结晶体管的电流
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考题 单结晶体管发射极的文字符号是（）A、CB、DC、ED、F
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考题 单选题单结晶体管的发射极电压升到（）电压时，单结晶体管就导通。A 谷点B 峰点C 阴极D 阳极
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考题 单选题单结晶体管触发电路中，单结晶体管发射极的电容容量变大，控制角（）。A 变小B 不变C 变大D 其它
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考题 填空题单结晶体管是由一个发射极和（）组成的晶体管。
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考题 填空题单结晶体管的发射极电压高于（）时就会导通，低于（）时就截止。
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考题 单选题单结晶体管由负阻转化为饱的转折点时的发射极电压成为（）电压。A 谷底B 谷点C 峰点D 峰顶
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考题 判断题单结晶体管具有一个发射极、一个基极、一个集电极。A 对B 错
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