网友您好, 请在下方输入框内输入要搜索的题目:

题目内容 (请给出正确答案)
判断题
好氧消化为放热反应,池内温度要稍高于人池污泥温度。
A

B


参考答案

参考解析
解析: 暂无解析
更多 “判断题好氧消化为放热反应,池内温度要稍高于人池污泥温度。A 对B 错” 相关考题
考题 ( )是密封的水池,池内放置填料,污水从池底进入,从池顶排出。 A. 厌氧生物滤池B. 上流式厌氧污泥床反应器C. 好氧生物滤池D. 化粪池

考题 厌氧消化池的加热方法有( )A.池内间接加温,池内直接加温,池外间接加温B.池内间接加温,池外直接加温,池外间接加温C.池内间接加温,池外间接加温D.池内间接加温,池内盘管加温,池外间接加温

考题 关于污泥好氧消化池的设计,以下哪种说法是错误的?( )A.污泥好氧消化通常用于大型或特大型污水处理厂 B.好氧消化池进泥的停留时间(消化时间)宜取10~20d C.好氧消化池内溶解氧浓度不应低于2mg/L,池体超高不宜低于1m D.好氧消化池在气温低于15℃的寒冷地区宜考虑采取保温措施

考题 影响传统除磷脱氮系统中好氧池(区)设计的最重要参数为下列哪项?( )A.水力停留时间 B.污泥浓度 C.污泥龄 D.污泥指数

考题 下列哪种污泥最容易脱水?( )A.二沉池剩余污泥 B.初沉池与二沉池混合污泥 C.厌氧消化污泥 D.初沉池污泥

考题 下列关于消化池加热,说法错误的是(  )。A.消化池加热的目的是为了维持消化池的消化温度(中温或高温) B.消化池加热不可用热水或蒸汽直接通入消化池进行加热 C.消化池加热可用热水或蒸汽直接通入消化池内的盘管进行加热 D.消化池外间接加热,是将生污泥在池外加热后投入消化池

考题 活性污泥正常运行时好氧池DO控制范围()、PH()、SV30()

考题 好氧池污泥老化的表象有哪些?

考题 由于厌氧生物反应将COD转化为沼气,厌氧生物产泥率只有好氧的(),所以泥量少,减少污泥处理费用。

考题 对于泥渣脱水工艺中的好氧消化应确定的工艺位置,下列叙述不正确的是()A、在浓缩池后,污泥调质前B、在浓缩池前C、包括污泥浓缩切水功能可代替或与浓缩池并联D、在污泥调质之后

考题 好氧微生物能进行正常生理活动的最适宜温度范围是多少,水温低于或高于这一范围都会对好氧活性污泥的功能产生不利影响?

考题 使用密度测定仪测定样品密度,检测池内有气泡的原因不包括()A、进样快B、进样缓慢C、测定温度稍高于液体温度D、测定温度稍低于液体温度

考题 可以通过采取()工艺措施,减少泵气蚀的发生。A、输液管保温B、降低泵池内温度C、定期置换泵池内的LNGD、泵池通氮气

考题 吹氧脱C是放热反应,因此,熔池温度升高对脱C,脱P反应有利。

考题 要加速放热反应,则必须提高熔池的温度。()

考题 简述好氧池出现污泥解体、上清液细碎污泥多现象的原因。

考题 好氧池污泥发生污泥膨胀时为什么会出现上清液清澈但是COD高的现象?

考题 好氧池发生污泥膨胀现象如何解决?

考题 简述好氧池污泥老化的原因。

考题 Si的氧化为放热反应,故温度低有利于Si的氧化。

考题 由于硅的氧化为强烈的放热反应,故温度低有利于硅的氧化。

考题 使用密度测定仪测定样品密度,检测池内有气泡的原因包括()A、进样快B、进样缓慢C、测定温度稍高于液体温度D、测定温度稍低于液体温度

考题 一般温度范围内,温度升高,电池内阻(),温度降低,电池内阻()。

考题 好氧消化为放热反应,池内温度要稍高于人池污泥温度。

考题 厌氧消化池的加热方法有()A、池内间接加温,池内直接加温,池外间接加温;B、池内间接加温,池外直接加温,池外间接加温;C、池内间接加温,池外间接加温;D、池内间接加温,池内盘管加温,池外间接加温;

考题 单选题厌氧消化池的加热方法有()A 池内间接加温,池内直接加温,池外间接加温;B 池内间接加温,池外直接加温,池外间接加温;C 池内间接加温,池外间接加温;D 池内间接加温,池内盘管加温,池外间接加温;

考题 填空题厌氧池进水温度工艺要求为()。厌氧进水温度的日波动范围在()以内对厌氧工艺不会有明显影响,但如果温度波动幅度超过(),则由于污泥活力的降低,反应器的负荷也应当降低以防止由于过负荷引起反应器酸化。