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题目内容
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单选题
关于突触前抑制的特点下列哪一项描述是错误的?( )
A
持续时间长
B
突触前膜去极化
C
通过轴突-轴突突触结构的活动来实现
D
潜伏期较长
E
轴突末梢释放抑制性递质
参考答案
参考解析
解析:
轴突末梢释放抑制性递质是形成抑制性突触后抑制电位的机制。
轴突末梢释放抑制性递质是形成抑制性突触后抑制电位的机制。
更多 “单选题关于突触前抑制的特点下列哪一项描述是错误的?( )A 持续时间长B 突触前膜去极化C 通过轴突-轴突突触结构的活动来实现D 潜伏期较长E 轴突末梢释放抑制性递质” 相关考题
考题
知识点:突触前抑制突触前抑制的特点是
A.突触前膜超极化
B.突触前轴突末梢释放抑制性递质
C.突触后膜的兴备性降低
D.突触后膜的兴奋性、突触后电位降低
E.通过轴突-树突突触的活动实现
考题
关于抑制性突触后电位产生过程的描述,哪一项是错误的?()A、突触前轴突末梢去极化,Ca2+由膜外进入突触前膜内B、突触前轴突末梢释放兴奋性递质减少C、突触后膜对K+、C1-,特别是Cl-的通透性增高D、突触后膜出现超极化电位
考题
关于兴奋性实触后电位产生过程的描述中哪一项是错误的?()A、突触前轴突末梢去极化,Ca2+由膜外进入突触前膜内B、突触前轴突末梢释放兴奋性递质并与突触前受体结合C、突触后瞄对Na+、K+、C1-,特别是Na+的通透性增高D、突触后膜出现去极化电位
考题
下列关于突触前抑制的叙述,错误的是()A、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少B、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质C、突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触D、潜伏期短,持续时间短E、可调节控制感觉信息的传入活动
考题
单选题关于兴奋性实触后电位产生过程的描述中哪一项是错误的?()A
突触前轴突末梢去极化,Ca2+由膜外进入突触前膜内B
突触前轴突末梢释放兴奋性递质并与突触前受体结合C
突触后瞄对Na+、K+、C1-,特别是Na+的通透性增高D
突触后膜出现去极化电位
考题
单选题关于抑制性突触后电位产生过程的描述,哪一项是错误的?()A
突触前轴突末梢去极化,Ca2+由膜外进入突触前膜内B
突触前轴突末梢释放兴奋性递质减少C
突触后膜对K+、C1-,特别是Cl-的通透性增高D
突触后膜出现超极化电位
考题
多选题下列关于突触前抑制的叙述,错误的是()A突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少B突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质C突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触D潜伏期短,持续时间短E可调节控制感觉信息的传入活动
考题
单选题突触前抑制的特点下列哪一项是错误的()A
突触前膜去极化B
持续时间长C
潜伏期较长D
通过轴突一轴突突触结构的活动来实现E
轴突末梢释放抑制性递质
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