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非均匀形核的形核功与接触角θ有关,θ角(),形核功越小,形核率越高。

  • A、越小
  • B、越大
  • C、为90°
  • D、以上都不对

参考答案

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考题 晶核的形成有()方式。A、自发形核(异质形核)B、非自发形核(异质形核)C、自发形核(均质形核)D、非自发形核(均质形核)

考题 奥氏体晶粒越细,则()。A、晶界面越多,形核率越高,冷却后的组织越细小B、晶界面越多,形核率越低,冷却后的组织越细小C、晶界面越多,形核率越高,冷却后的组织越粗大D、晶界面越少,形核率越高,冷却后的组织越细小

考题 下述说法哪些正确?在相同过冷度的条件下,()A、非均匀形核比均匀形核的形核率高;B、均匀形核与非均匀形核具有相同的临界晶核半径;C、非均匀形核比均匀形核需要的形核功小;D、非均匀形核比均匀形核的临界晶核体积小。

考题 非均匀形核所需要的形核功大于均匀形核所需要的形核功。

考题 非均匀形核时晶核与基底之间的接触角越大,其促进非均匀形核的作用越大。

考题 非均匀形核

考题 临界形核功

考题 形核功

考题 下述说法哪些正确?非均匀形核时,θ角越小,形核越容易。这是因为()A、临界晶核的体积和表面积越小;B、形核需要的过冷度越小;C、需要的形核功越小。。

考题 问答题解释临界晶核半径r*和形核功△G*的意义,以及为什么形核要有一定过冷度?

考题 名词解释题临界晶核形核功

考题 判断题由于均匀形核需要的过冷度很大,所以液态金属多为非均匀形核。A 对B 错

考题 问答题为提高金属结晶时的形核率,往往向液态金属中加入一定量的高熔点的固体颗粒形核剂以促进非均匀形核。问当向液态金属中加入的固体颗粒形核剂分别为金属颗粒和陶瓷颗粒时,加入哪种形核剂对提高结晶形核率的效果更好,为什么?

考题 判断题非均匀形核时晶核与基底之间的接触角越大,其促进非均匀形核的作用越大。A 对B 错

考题 问答题为什么非均匀形核比均匀形核要容易?

考题 名词解释题形核功

考题 单选题金属结晶后,其晶粒的粗细与结晶时()有关。A 形核率和形核速度B 形核速度和形核面积C 形核率和晶核长大速度D 晶粒度和晶核长大速度

考题 问答题试比较均匀形核和非均匀形核的异同点。

考题 判断题非均匀形核所需要的形核功大于均匀形核所需要的形核功。A 对B 错

考题 填空题在过冷度不很大时,形核率主要受形核功因子的控制,当过冷度非常大时,形核率主要受()的控制。

考题 多选题以下说法中,()说明了非均匀形核与均匀形核之间的差异。A非均匀形核所需过冷度更小B均匀形核比非均匀形核难度更大C一旦满足形核条件,均匀形核的形核率比非均匀形核更大D均匀形核试非均匀形核的一种特例E实际凝固过程中既有非均匀形核,又有均匀形核

考题 多选题下述说法哪些正确?非均匀形核时,θ角越小,形核越容易。这是因为()A临界晶核的体积和表面积越小;B形核需要的过冷度越小;C需要的形核功越小。。

考题 名词解释题临界形核功

考题 单选题实际金属结晶形成晶核时,主要是哪种形核方式()。A 自发形核B 非自发形核C 平面形核

考题 问答题什么是均匀形核与非均匀形核?实际发生的主要是哪一种?

考题 单选题非均匀形核的形核功与接触角θ有关,θ角(),形核功越小,形核率越高。A 越小B 越大C 为90°D 以上都不对

考题 多选题下述说法哪些正确?在相同过冷度的条件下,()A非均匀形核比均匀形核的形核率高;B均匀形核与非均匀形核具有相同的临界晶核半径;C非均匀形核比均匀形核需要的形核功小;D非均匀形核比均匀形核的临界晶核体积小。