考题
超声波探伤,为减少近场长度应选用()的探头。A.低频率B.较小晶片C.低频率和较小晶片D.较大晶片
考题
探头的近场长度求解公式是（）。（λ：波长；ｆ：频率；D://晶片直径，A：晶片半径）。
考题
探头的晶片尺寸增加对探头的（）有不利影响。A、 声束的指向性B、 近场区长度C、 远距离缺陷检出能力D、 以上都是
考题
同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比，近场区长度与晶片面积成正比。
考题
同类型探头，面积相同，频率相同的圆晶片和方晶片的近场长度相同。
考题
横波探头晶片尺寸一定，K值增大时，近场区长度减小。
考题
斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。 A、 增大B、 不变C、 减小D、 都有可能
考题
以下哪一条不属于双晶探头的主要参数？（）A、近场长度B、频率C、晶片尺寸D、声束交区范围
考题
探头的近场长度由式N=a2/λ决定。（式中λ波长，a晶片半径）。
考题
波长越短，近场长度越短，晶片直径越大，近场长度也越长。
考题
晶片较小的探头近场覆盖面积（）。A、较小B、较大C、与之无关D、以上说法均不对
考题
探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面的缺陷探测不利。
考题
斜探头近场区长度是按晶片在投影后的有效面积计算。
考题
超声波探伤，为减少近场长度应选用（）的探头.A、低频率B、较小晶片C、低频率和较小晶片D、较大晶片
考题
说明指向角和近场区长度的关系，在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸？
考题
探头晶片尺寸大，辐射的超声波能量大，探头未扩散区扫查范围大，远距离扫查范围相对变小，发现远距离缺陷能力增强。
考题
探头晶片尺寸增加，近场区长度增加，对探伤不利。
考题
问答题说明指向角和近场区长度的关系，在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸？
考题
判断题同类型探头，面积相同，频率相同的圆晶片和方晶片的近场长度相同。A
对B
错
考题
单选题斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。A
增大B
不变C
减小D
都有可能
考题
单选题横波探头晶片尺寸一定时，K值与近场区长度的关系为（）A
K值增大时，近场区长度不变B
K值增大时，近场区长度增大C
K值增大时，近场区长度减小D
K值与近场区长度无关
考题
判断题横波探头晶片尺寸一定，K值增大时，近场区长度减小。A
对B
错
考题
单选题以下哪一条不属于双晶探头的主要参数？（）A
近场长度B
频率C
晶片尺寸D
声束交区范围
考题
填空题探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面的缺陷探测不利。
考题
单选题超声波探伤，为减少近场长度应选用（）的探头.A
低频率B
较小晶片C
低频率和较小晶片D
较大晶片
考题
单选题探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面探伤不利。A
增加B
减小C
不变
考题
判断题同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比，近场区长度与晶片面积成正比。A
对B
错