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热点温度下移是因为操作不当,循环气量过大,使上层温度下降,热点下移。()


参考答案

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考题 热点温度为什么会下移()。 A.催化剂长期处于高温或温度波动大,活性下降B.毒物影响致使上层催化剂活性降低,热点下移C.内件上部损坏而漏气,热点下移D.催化剂还原不好,上层催化剂活性较差,热点下移

考题 催化剂发生中毒的表现,首先是催化剂层中上层温度下降,热点温度略有上升,然后下降;并且热点温度移,整个反应下降,系统压力升降低。() 此题为判断题(对,错)。

考题 热点温度下移是因为操作不当,循环气量过大,使上层温度下降,热点下移。() 此题为判断题(对,错)。

考题 电流互感器本体及引线接头发热,下列哪些情况下应加强监视,按缺陷处理流程上报()。(A)本体热点温度超过50℃ (B)本体热点温度超过55℃ (C)引线接头温度超过80℃ (D)引线接头温度超过90℃

考题 电流互感器本体及引线接头发热,下列哪些情况下应加强监视,按缺陷处理流程上报()。本体热点温度超过50℃$;$本体热点温度超过55℃$;$引线接头温度超过80℃$;$引线接头温度超过90℃

考题 隔离开关触头设备缺陷判断为危急缺陷的为( )。温差不超过15K$; $热点温度70℃,相对温差大于80%$; $热点温度大于90℃,相对温差大于80%$; $热点温度大于130℃,相对温差大于95%

考题 热点温度下移的原因是什么,正确的是()A、催化剂长时期处于高温下或温度波动大,活性下降B、毒物影响致使上层催化剂活性降低,热点下移C、内件上部损坏而漏气,热点下移D、催化剂还原不好,上层催化剂活性较差,热点下移

考题 合成塔热点温度下降的原因?

考题 以下()不属于铜液带入合成塔的现象.A、循环机压差增大B、冷交、氨分液位突然升高C、触媒层上层温度下降,下层上升,热点下降D、系统压力降低

考题 微量高时,首先表现为触媒层的中上层温度急剧上升,而热点温度则略有上升然后下降底层温度上升,压力随之升高

考题 合成岗位正常操作要点是什么,正确的是()A、催化剂床层热点温度的控制B、氨冷器温度的调节C、循环气量及循环气中惰性气体含量的控制D、防止跑气和漏气

考题 CO变换工艺变换炉操作中,热点温度比较重要,热点温度是指催化剂层内()的测温点。A、最灵敏B、温度最高C、第一层D、中间层

考题 热点温度为什么会下移?

考题 合成塔在使用过程中热点温度为什么会下移?

考题 熔化工测的“热点温度” 玻璃液的热点温度。

考题 火焰矫正轴时,加热点温度要缓慢上升,加热点面积要大。

考题 触媒的热点温度逐渐下移,生产能力逐渐下降,这种现象称为触媒的()。A、衰老B、暂时中毒C、粉化D、永久性中毒

考题 催化剂发生中毒的表现,首先是催化剂层()温度下降,热点温度略有上升,然后下降;并且热点温度下移,整个反应下降,系统压力升高。

考题 补充气中的CO和CO2含量高,催化剂发生中毒时,首先表现出催化剂床层的中上层温度下降,而热点温度则略有上升,并且热点温度工始下移,压力也随之升高,如不及时处理,当热点移至最后一点时,就会造成催化剂床层温度下垮事故。

考题 全低变正常情况下影响一层热点温度的因素有哪些,正确的是()A、半水煤气O2含量越低,热点就越高;B、CO浓度越低,热点温度越高;C、催化剂装填越多,越利于热点温度升高;D、反应器的高径比越小,反应热点就越高

考题 宽温耐硫钴钼系催化剂的热点温度在(),操作温度在()左右 。

考题 在实际操作中为什么尽可能将热点温度维持低些?

考题 什么是热点温度?

考题 热点温度为什么会下移?()A、催化剂长期处于高温或温度波动大,活性下降B、毒物影响致使上层催化剂活性降低,热点下移C、内件上部损坏而漏气,热点下移D、催化剂还原不好,上层催化剂活性较差,热点下移

考题 何谓热点温度?为什么要控制热点温度?

考题 醚化反应预热温度越高,床层温度越高,热点温度向床层()部移动。A、上B、中C、下D、中上

考题 隔离开关刀口设备缺陷判断为危急缺陷的为()。A、温差不超过15KB、热点温度70℃,相对温差大于80%C、热点温度大于90℃,相对温差大于80%D、热点温度大于130℃,相对温差大于95%