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严格按照工艺规定升降压可以防止变换催化剂粉化。


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考题 变换催化剂硫中毒后,应当将变换后系统切出,工艺气改变换后放空,并提高催化剂床温度做脱硫处理。() 此题为判断题(对,错)。

考题 催化剂粉化的原因有()A、触媒温度波动范围过大B、升降压速率过大C、电炉功率过大D、循环气量过大

考题 控制好合成塔升降压速度,防止合成催化剂粉化。

考题 控制好变换入口H2S含量,对于防止变换催化剂中毒十分重要。

考题 装置停工时反应系统降温降压应严格按照规定,要控制好降温降压的速度。

考题 高变催化剂使用过程中破碎粉化的主要原因是什么,正确的是()A、半水煤气中硫化氢含量低B、半水煤气中硫化氢含量波动幅度大C、降压速度太慢D、气态水进入催化剂床层与催化剂接触,使催化剂粉化

考题 合成催化剂升温时要严格按照升温规定进行,降温则不必。()

考题 变换催化剂升温降温都要严格按照()规定进行。

考题 中变反应为放热反应,每1%(vol)的CO变换后会引起()℃的温升,为防止床层温度超温损坏中变催化剂,同时又保证反应的速度,需对()进行控制。

考题 工艺气带水会使变换催化剂活性()。A、上升B、下降C、不变D、无法判断

考题 为了防止合成催化剂粉化,因此合成系统的()速度要严格控制。A、降压B、升压C、升温D、降温

考题 变换催化剂床层的阻力增加一定是催化剂粉化。

考题 变换导气过程中提高汽/气比可以防止变换催化剂超温。

考题 变换时,蒸汽量增大,使催化剂床层温升减小,可以有效调节床层温度。

考题 变换催化剂温度尚未下降时,严禁降低系统压力,防止变换各泵发生汽蚀。

考题 变换催化剂使用初期,入变换炉工艺气温度应控制在催化剂活性温度范围()的位置。A、较高B、中间C、较低D、无法判断

考题 变换催化剂硫中毒后,应当将变换后系统切出,工艺气改变换后放空,并提高催化剂床温度做脱硫处理。

考题 适当的升降压速度可以防止合成催化剂粉化。

考题 变换催化剂使用时升降温速度要缓慢,防止温度骤涨骤降损坏催化剂。

考题 CO低温变换温度一定要低于该条件下气体的露点温度,以免蒸汽冷凝析水使催化剂粉化。

考题 全低变流程是指全部采用宽温区的钴钼系耐硫变换催化剂进行CO变换的工艺流程。

考题 使用机械强度高的合成催化剂,可减少催化剂的粉化。

考题 催化剂床层进水不会造成催化剂粉化。

考题 升降压速度不影响变换催化剂的使用寿命。

考题 对于反应压力容器,必须严格按照规定的工艺要求控制升温速度,对投料顺序也必须严格按照规定进行。

考题 在合成氨工艺条件优化阶段,广泛使用的变换催化剂是()。A、铜催化剂和铁铬催化剂B、钒催化剂C、锰催化剂和铬催化剂D、铜催化剂和锰催化剂

考题 判断题变换催化剂使用时升降温速要缓慢,防止温度骤降骤涨损坏催化剂。A 对B 错