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严格按照工艺规定升降压可以防止变换催化剂粉化。

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考题 变换催化剂硫中毒后,应当将变换后系统切出,工艺气改变换后放空,并提高催化剂床温度做脱硫处理。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 催化剂粉化的原因有（）A、触媒温度波动范围过大B、升降压速率过大C、电炉功率过大D、循环气量过大
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考题 控制好合成塔升降压速度，防止合成催化剂粉化。
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考题 控制好变换入口H2S含量，对于防止变换催化剂中毒十分重要。
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考题 装置停工时反应系统降温降压应严格按照规定，要控制好降温降压的速度。
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考题 高变催化剂使用过程中破碎粉化的主要原因是什么，正确的是（）A、半水煤气中硫化氢含量低B、半水煤气中硫化氢含量波动幅度大C、降压速度太慢D、气态水进入催化剂床层与催化剂接触，使催化剂粉化
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考题 合成催化剂升温时要严格按照升温规定进行，降温则不必。（）
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考题 变换催化剂升温降温都要严格按照（）规定进行。
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考题 中变反应为放热反应，每1%（vol）的CO变换后会引起（）℃的温升，为防止床层温度超温损坏中变催化剂，同时又保证反应的速度，需对（）进行控制。
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考题 工艺气带水会使变换催化剂活性（）。A、上升B、下降C、不变D、无法判断
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考题 为了防止合成催化剂粉化，因此合成系统的（）速度要严格控制。A、降压B、升压C、升温D、降温
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考题 变换催化剂床层的阻力增加一定是催化剂粉化。
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考题 变换导气过程中提高汽/气比可以防止变换催化剂超温。
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考题 变换时，蒸汽量增大，使催化剂床层温升减小，可以有效调节床层温度。
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考题 变换催化剂温度尚未下降时，严禁降低系统压力，防止变换各泵发生汽蚀。
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考题 变换催化剂使用初期，入变换炉工艺气温度应控制在催化剂活性温度范围（）的位置。A、较高B、中间C、较低D、无法判断
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考题 变换催化剂硫中毒后，应当将变换后系统切出，工艺气改变换后放空，并提高催化剂床温度做脱硫处理。
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考题 适当的升降压速度可以防止合成催化剂粉化。
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考题 变换催化剂使用时升降温速度要缓慢，防止温度骤涨骤降损坏催化剂。
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考题 CO低温变换温度一定要低于该条件下气体的露点温度，以免蒸汽冷凝析水使催化剂粉化。
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考题 全低变流程是指全部采用宽温区的钴钼系耐硫变换催化剂进行CO变换的工艺流程。
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考题 使用机械强度高的合成催化剂，可减少催化剂的粉化。
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考题 催化剂床层进水不会造成催化剂粉化。
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考题 升降压速度不影响变换催化剂的使用寿命。
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考题 对于反应压力容器，必须严格按照规定的工艺要求控制升温速度，对投料顺序也必须严格按照规定进行。
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考题 在合成氨工艺条件优化阶段，广泛使用的变换催化剂是（）。A、铜催化剂和铁铬催化剂B、钒催化剂C、锰催化剂和铬催化剂D、铜催化剂和锰催化剂
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考题 判断题变换催化剂使用时升降温速要缓慢，防止温度骤降骤涨损坏催化剂。A 对B 错
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