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如果原料气中杂质浓度过高,则应及时缩短(),并适当降低()。


参考答案

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考题 晶体管具备电流放大的内部条件是()。 A.基区薄而其杂质浓度低B.基区杂质浓度高C.降低发射区杂质浓度D.加强电子在基区的复合

考题 如果装置需要降低处理量,则应遵循( ),避免高温低空速操作;反之,先提高处理量,后适当提高反应温度

考题 空气预热器在使用过程中,如果温度过高,则应及时将空气预热器切出,防止热管炸裂。( )

考题 铜比过高如何处理,正确的是()A、提高再生温度;改变铜液流动路线,缩短还原时间B、降低系统加氨量;提高再生压力C、降低空气加入量;降低再生液位D、降低原料气中CO含量;提高回流塔温度

考题 下列调整急冷油粘度过高的措施中,没有效果的是()。A、视情况适当降低裂解深度B、适当降低超高压蒸汽压力C、适当降低急冷器出口温度

考题 第二类回火脆性产生的原因是()的缘故。A、晶粒边界杂质浓度增高B、晶粒边界杂质浓度降低C、晶粒内部杂质浓度增高D、晶粒内部杂质浓度降低

考题 干气中碳3的含量过高,则应调整()。

考题 在一个吸附—再生循环里只能处理一定载量的原料气,如果导入的原料气过多会造成氢回收的氢气纯度降低

考题 原料气中含有大量水,操作调整正确的是()。A、适当加大配风B、适当降低处理量C、适当提高处理量D、加强分液罐脱水

考题 原料气中杂质含量增加,要及时减少原料气处理量或缩短吸附时间

考题 如果由于原料中硫含量超标引起的加氢反应器床层超温,则应()。A、联系调度更换合格的原料气B、提高反应温度C、提高反应压力D、提高转化炉温

考题 转化炉发生联锁停车,PSA系统需要进行()的相应处理。A、延长吸咐时间B、切除原料气C、缩短吸咐时间D、降低操作压力

考题 低变在生产使用中,因为(),会使部分催化剂发生破碎。A、原料气温度过低B、原料气温度过高C、原料气空速过高D、原料气空速过低

考题 PSA原料气(),会使产品氢气纯度降低。A、温度高、及时减少了吸附时问B、温度高、未及时缩短吸附时间C、流量减少、减小了吸附时间D、流量增加、减小了吸附时间

考题 焦碳挥发份过高时错误的的处理方法是()。A、适当提高炉出口温度B、改善原料性质C、适当降低炉出口温度D、降低处理量

考题 天然气溢流不允许长时间关井而不作处理。在等候加重材料或在加重过程中,若等候时间长,则应及时实施工程师法压井,防止井口压力过高。()

考题 反应器中原料乙烯中杂质浓度的增加树脂密度增加。

考题 提高丙烯收率的调整方法有()A、减少不凝气放瓦斯管网量B、催化提高原料中丙烯含量C、适当降低丙烯质量D、适当降低丙烯塔操作压力

考题 如果装置需要降低处理量,则应遵循()的原则,避免高温低空速操作;反之,先提高处理量,后适当提高反应温度

考题 如果重心偏移,则应适当()。

考题 原料气中S、P含量高降低触媒寿命。

考题 晶体管具备电流放大的内部条件是()。A、基区薄而其杂质浓度低B、基区杂质浓度高C、降低发射区杂质浓度D、加强电子在基区的复合

考题 对符合条件的港澳台和外籍人士向农业银行申请个人住房贷款,要严格控制贷款风险,并适当()。A、降低贷款成数B、缩短贷款期限C、降低贷款成数或缩短贷款期限D、降低贷款成数且缩短贷款期限

考题 如果开关的发热不正常,应加以监视并设法降低其温度;如果温度继续升高,则应按()处理,()开关运行。

考题 半导体三极管工作过程中()。A、发射区杂质浓度大于基区杂质浓度;B、发射区杂质浓度小于基区杂质浓度;C、发射区杂质浓度等于基区杂质浓度;D、发射区杂质浓度大于集电区杂质浓度。

考题 单选题如果初顶汽油干点过高应()。A 适当提高初馏塔顶温度B 适当降低初馏塔顶温度C 降低初馏塔顶压力D 提高初馏塔底液面