II 度牙列拥挤的定义是指()

A.牙弓中存在2-4m的拥挤

B.牙弓中存在4-8mm的拥挤

C.牙弓拥挤超过8mm

D.牙弓拥挤超过15mm

Angle分类法以下何为正确()

A.AngleI类是正常颌

B.AngleII类多为反颌

C.AngleIII类多为深覆盖

D.右侧为AngelIII类关系，左侧为AngleI类关系时也属于错颌

以下哪些结构不在翼下颌间隙内行走?()

A.舌神经

B.下牙槽神经

C.舌动脉

D.下牙槽静脉

E.下牙槽动脉

关节盘最薄的结构是()

A.关节盘前带

B.关节盘中带

C.关节盘后带

D.双板区上板

E.双板区下板

上颌侧切牙与上颌中切牙比较()

A.上颌侧切牙形态窄而长

B.上颌侧切牙舌窝窄而浅

C.上颌侧切牙唇面唇缘平直

D.上颌侧切牙唇面窄小平坦

E.上颌侧切牙舌面边缘嵴不显著

正畸治疗牙齿移动的类型有()

A.整体移动

B.倾斜移动

C.控根移动

D.垂直移动

E.旋转移动

真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作真空烤瓷炉的温度参数和时间参数主要包括A、预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间

B、预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

C、现时温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

D、现时温度，最终温度，预热时间，升温时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

E、现时温度，最终温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉，上釉有两种方法：自行上釉和分别上釉，其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟，高于体瓷烧熔温度的范围是A、31～40℃

B、21～30℃

C、10℃以内

D、11～20℃

E、5℃

在烤瓷过程中不能使烤瓷件与炉膛内壁接触，如果接触，可能造成的最严重的后果是A、烤瓷失败

B、烤瓷失败，烤瓷件报废

C、烤瓷件与炉膛内壁发生粘连

D、炉膛报废

E、发热体损坏

请帮忙给出每个问题的正确答案和分析，谢谢！

藻酸盐印模材料有粉剂和糊剂两种，是目前国内常用的印模材料未调拌的藻酸盐印模糊剂中必须含有下列哪种物质A、藻酸钠

B、硅溶胶

C、生石膏

D、熟石膏

E、藻酸钾

未调拌的粉剂藻酸盐印模材料中必须含有哪种材料A、生石膏

B、指示剂

C、水

D、硅溶胶

E、藻酸钾

请帮忙给出每个问题的正确答案和分析，谢谢！

错牙合畸形矫治的目标是()

A.平衡

B.稳定

C.美观

D.A+B

E.A+C

F.A+B+C