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控制混床失效的指标为（）。

  • A、电导率
  • B、硬度
  • C、二氧化硅
  • D、碱度

参考答案

更多 “控制混床失效的指标为（）。A、电导率B、硬度C、二氧化硅D、碱度” 相关考题
考题 混床单元控制指标有( ) A.出水电导率B.污染物指数C.余氯D.二氧化硅
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考题 发现混床的电导率持续升高可以直接判断该混床失效。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 判断混床失效的一般指标是出水电导率。此题为判断题(对，错)。
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考题 混床失效时，出水的电导率和二氧化硅含量同时升高。此题为判断题(对，错)。
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考题 阴离子交换器运行失效时，出水（）变化最明显。A、电导率B、二氧化硅C、硬度
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考题 氢型高速混床运行失效控制指标为电导率（）μS/cm。A、大于0.2B、大于1.0C、大于0.3D、大于0.5
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考题 混床出水的电导率指标为（），混床出水的二氧化硅指标为（）。
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考题 判断混床失效的一般指标是出水电导率。
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考题 在离子交换除盐系统中，阳床已失效，阴床尚未失效，阴床出水（）。A、电导率升高B、HSiO3-含量下降C、pH值升高D、碱度下降
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考题 下列叙述中，造成H-OH混床出水电导率超标的原因有（）等。A、H-OH混床出水阀泄漏B、H-OH混床失效C、H-OH混床工作不正常D、H-OH混床进酸阀渗漏
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考题 只需监督混床出水电导率，就可以控制混床的失效点。
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考题 蒸汽应监督的项目有（）A、硬度B、二氧化硅含量C、碱度D、PH值E、电导率
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考题 混床出水电导率大的原因（）。A、混床失效。B、混床再生不彻底。C、阳树脂装载量超过规定高度。D、底部水帽损坏。
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考题 混床失效时，出水的电导率和二氧化硅含量同时升高。
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考题 一级化学除盐系统，应控制的出水指标是（）A、钠离子、二氧化硅、电导率B、硬度、PH值、氯根C、硬度、氯根、碱度D、碱度、硬度、电导率
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考题 脱盐水处理中，电导率是重要指标，下面四个指标分别是超滤产水、反渗透出水、工艺阴床出口和混床出口的电导率，混床出口的电导率控制指标是（）。A、600-800us/cB、≤5us/cmC、≤0.2us/cmD、≤30us/cm
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考题 强碱阴床失效时，出水变化最明显的是（）A、电导率B、二氧化硅C、小碱度
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考题 一级除盐系统出水指标为（）。A、硬度≈0，二氧化硅≤100μmol/L，电导率≤5μS/cm；B、硬度≈0，二氧化硅≤50μmol/L，电导率≤5μS/Cm；C、硬度≈0，二氧化≤100μmol/L，电导率≤0.2μS/cm；D、硬度≈0，二氧化硅≤100μmol/L，电导率≤10μS/cm。
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考题 氢型高速混床运行失效控制指标为电导率（）μS/cm。A、大于0.2；B、大于1.0；C、大于0.3；D、大于0.5。
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考题 混床单元控制指标有（）？A、出水电导率B、污染物指数C、余氯D、二氧化硅
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考题 判断题发现混床的电导率持续升高可以直接判断该混床失效。（）A 对B 错
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考题 多选题混床单元控制指标有（）A出水电导率B污染物指数C余氯D二氧化硅
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考题 判断题混床失效时，出水的电导率和二氧化硅含量同时升高。A 对B 错
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考题 单选题一级化学除盐系统，应控制的出水指标是（）A 钠离子、二氧化硅、电导率B 硬度、PH值、氯根C 硬度、氯根、碱度D 碱度、硬度、电导率
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考题 单选题阴离子交换器运行失效时，出水（）变化最明显。A 电导率B 二氧化硅C 硬度
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考题 单选题强碱阴床失效时，出水变化最明显的是（）A 电导率B 二氧化硅C 小碱度
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考题 判断题判断混床失效的一般指标是出水电导率。A 对B 错
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