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地层中（）离子易被氢氧化铁吸附，与钙岩一起沉淀形成放射性积垢。

  • A、U
  • B、Th
  • C、K
  • D、以上都是

参考答案

更多 “地层中（）离子易被氢氧化铁吸附，与钙岩一起沉淀形成放射性积垢。A、UB、ThC、KD、以上都是” 相关考题
考题 关于吸附共沉淀下列说法错误的是:()A、沉淀表面积越大越易吸附B、电荷高浓度大的离子易被吸附C、沉淀颗粒越小吸附越严重D、吸附是一个放热过程E、颗粒大的沉淀吸附现象严重
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考题 对健康有正效应的空气离子主要是可与中性气体分子吸附在一起形成() A、轻正离子B、轻负离子C、重负离子D、重正离子E、以上都不是
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考题 在沉淀过程中，为了除去易吸附的杂质离子，应采取的方法有()。A.将易被吸附的杂质离子分离掉B.改变杂质离子的存在形式C.在较浓溶液中进行沉淀D.洗涤沉淀
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考题 石灰沉淀法是利用A.鞣质与钙离子生成可溶性沉淀 B.鞣质与铁离子生成不溶性沉淀 C.鞣质与钙离子生成不溶性沉淀 D.鞣质与铁离子生成可溶性沉淀 E.鞣质与钠离子结合生成不溶性沉淀
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考题 某些地层中滑坡特别发育，这与岩层中含有特殊的矿物成分、风化物、易于形成滑带有关，下列说法不正确的是( )。A.高灵敏的海相黏土及第三系、白垩系和侏罗系的红色页岩、泥岩地层都是易滑地层 B.二叠系煤系地层是易滑地层 C.泥质板岩、片岩是易滑地层 D.花岗岩、石灰岩是易滑地层
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考题 空气离子可与中性气体分子吸附在一起形成（）。A、正离子B、负离子C、中性离子D、重离子E、轻离子
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考题 沉淀滴定不能存在沉淀吸附被测离子严重。（）
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考题 一般情况下，生油层的（）含量最高。A、UB、ThC、KD、U、Th、K
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考题 由于表面吸附引起的共沉淀，吸附层主要吸附的离子是（），扩散层中主要吸附的离子是（）。
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考题 钢铁在酸性介质中易发生化学反应，首先被氧化成何种状态？（）A、亚铁离子B、铁离子C、氧化铁D、氢氧化铁
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考题 造成后沉淀的原因，说法错误的是（）。A、由于沉淀表面吸附了构晶离子B、由于沉淀表面吸附的构晶离子再吸附溶液中带相反电荷的杂质离子C、由于沉淀陈化的时间不够长D、由于在沉淀表面附近形成了过饱和溶液
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考题 下列关于沉淀吸附的一般规律，哪些为正确的（）A、离子价数离的比低的易吸附；B、离子浓度愈大愈易被明附；C、沉淀颗粒愈大，吸附能力愈强；D、能与构晶离子生成难溶盐沉淀的离子，优先被子吸附；E、温度愈高，愈有利于吸附
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考题 在沉淀过程中，为了除去易吸附的杂质离子，应采取的方法有（）。A、将易被吸附的杂质离子分离掉B、改变杂质离子的存在形式C、在较浓溶液中进行沉淀D、洗涤沉淀
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考题 沉淀的吸附作用与溶液中杂质离子的浓度和沉淀条件有关。
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考题 自然伽马能谱测井地质基础是（）在矿物和岩石中的分布规律与岩石的矿物成分、成岩环境和地下水活动有关。A、UB、ThC、KD、U、Th、K
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考题 在重量分析中，下面说法（）是错误的。A、杂质浓度越大，则吸附杂质的量越多B、同质量的沉淀，颗粒越大，则总表面越大，吸附杂质的量越多C、溶液温度升高，吸附杂质的量减少D、沉淀剂加入过快时，沉淀迅速长大，易使得杂质离子被包藏在沉淀内部
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考题 硅酸盐稳定含盐膏地层主要是通过硅酸根与地层中的钙、镁离子生成沉淀，从而在含膏地层表面形成坚韧、致密的封固壳体来加固井壁。
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考题 重量分析中，沉淀表面吸附杂质而引起沉淀沾污，沉淀表面最优先吸附的离子是（）A、构晶离子B、高价离子C、极化程度大的离子D、浓度大的离子
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考题 地层天然放射性的高低与地层岩性及沉积环境都有关。
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考题 某些地层中滑坡特别发育，这与岩层中含有特殊的矿物成分、风化物、易于形成滑带有关，下列说法不正确的是（）。A、高灵敏的海相黏土及第三系、白垩系和侏罗系的红色页岩、泥岩地层都是易滑地层B、二叠系煤系地层是易滑地层C、泥质板岩、片岩是易滑地层D、花岗岩、石灰岩是易滑地层
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考题 如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近，电荷相同，则易形成（）A、表面吸附B、混晶C、机械吸留D、后沉淀
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考题 重量分析中，若待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近，在沉淀过程中往往形成（）A、表面吸附B、吸留与包藏C、混晶D、后沉淀
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考题 根据离子交换树脂选择性顺序的规律，水中离子所带（）越多，越易被吸附，当离子所带电荷相同时（）越大，越易被吸附。
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考题 单选题重量分析中，沉淀表面吸附杂质而引起沉淀沾污，沉淀表面最优先吸附的离子是（）A 构晶离子B 高价离子C 极化程度大的离子D 浓度大的离子
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考题 单选题钢铁在酸性介质中易发生化学反应，首先被氧化成何种状态（）。A 亚铁离子B 铁离子C 氧化铁D 氢氧化铁
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考题 单选题空气离子可与中性气体分子吸附在一起形成（）。A 正离子B 负离子C 中性离子D 重离子E 轻离子
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考题 单选题如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近，电荷相同，则易形成（）A 表面吸附B 混晶C 机械吸留D 后沉淀
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