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纯铜焊接时，熔池结晶时易在晶界形成Cu2O--Cu共晶，使接头性能降低。
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考题
人体内O2、CO2进出细胞膜是通过A.单纯扩散B.易化扩散C.
人体内O＜sub＞2＜/sub＞、CO＜sub＞2＜/sub＞进出细胞膜是通过A.单纯扩散B.易化扩散C.主动转运D.人胞作用E.出胞作用
考题
用金属铜作电极，电解硫酸铜溶液时，阳极的主要反应是：( )A.4OH- - 4e-=== O2+ 2H2O
B.2SO2-4- 2e-===S2O2-8
C.Cu-2e- ===Cu2+
D.Cu2++ 2e-===Cu
考题
以下关于焊缝区组织的描述，错误的是（）A、焊缝金属是直接由液态金属结晶而得到的铸造组织B、结晶从熔池边缘开始，呈柱状晶（晶粒较粗大）成长C、粗大的柱状晶沿熔池壁方向成长D、最后结晶部位位于熔池中部，形成八字柱状树枝晶
考题
下列说法中，正确的是（）。（1）Al-Cu系列铝合金在时效硬化处理时，晶间会沉淀出CuAl2，产生晶间腐蚀。（2）Al-Zn-Mg-Cu系列铝合金在人工时效处理后，晶界会析出MgZn2，产生晶界腐蚀。（3）Al-Cu-Mg系列合金发生剥层腐蚀的情况最多。A、0项B、1项C、2项D、3项
考题
下列说法中（）。（1）Al-Cu系列铝合金在时效硬化处理时，晶间会沉淀出CuAl2，产生晶间腐蚀。（2）Al-Zn-Mg-Cu系列铝合金在人工时效处理后，晶界会析出MgZn2，产生晶界腐蚀。A、（1）对（2）错B、（1）错（2）对C、全对D、全错
考题
Al-Cu系列铝合金在时效硬化处理时，晶间会沉淀出CuAl2，则（）。A、在晶粒边界形成富铜区，电位最低B、在晶粒边界形成富铜区，电位最高C、在晶粒边界形成贫铜区，电位最低D、在晶粒边界形成贫铜区，电位最高
考题
单选题A
pIsub2/sub=Isub3/sub/pB
pIsub2/sub=4Isub3/sub/pC
pIsub2/sub=2Isub3/sub/pD
pIsub3/sub=4Isub2/sub/p
考题
单选题正态分布时，算术平均数、中位数、众数的关系为（）A
msub0/sub＜msube/sub＜(xB
msub0/sub＝msube/sub＝(xC
msub0/sub＞msube/sub＞(xD
msube/sub＜msub0/sub＜(x
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