考题
涡流探伤时,试件中涡流产生的磁场总是强化激励电流所产生的磁场。()
此题为判断题(对，错)。
考题
在涡流探伤中，试件中的涡流方向（）.A、增加激励磁场的变化B、阻碍激励磁场的变化C、与激励磁场变化无关D、只与激励场强绝对值有关
考题
在穿过式线圈的涡流探伤仪中，检验频率由下列哪项控制？（）A、示波器B、灵敏度旋钮位置C、振荡器D、调制频率旋钮位置
考题
直径小于Φ0.1mm的金属细丝涡流探伤所用的激励频率约是（）。A、几十兆周B、几百千周C、几千周D、几百周
考题
在涡流探伤中，在试件上感生的电流方向（）.A、与激励电流的方向相同B、与激励电流的方向相反C、与激励电流的方向无关D、取决于激励电流是直流还是交流
考题
如涡流探伤的激励频率降低，而场强不变，则金属棒材中心的涡流密度会（）。A、增加B、减小C、急剧增大D、恒等于0
考题
为了探出所需深度中的缺陷，在涡流探伤中可选用的条件是（）。A、试件电导率B、激励频率C、试件导磁率D、试件尺寸
考题
激励绕组的功能是（）。A、发现试件中涡流变化B、在试件中激励出涡流C、发现试件中的分子磁矩D、激励出试件磁畴
考题
在涡流探伤中，试件中感生出的涡流方向是（）。A、增加激励磁场的变化B、阻碍激励磁场变化C、与激励磁场变化无关D、与激励场强绝对值有关
考题
在涡流探伤中，如欲得到在非铁磁性材料管子表面任意位置上的已知缺陷的最佳灵敏度，应该（）。A、适当选择频率B、使管子在线圈的中心C、适当调节相位D、上述三项都是
考题
增加涡流探伤的激励频率，则圆棒金属材料中心的涡流密度（）。A、增加B、为零C、减小D、不变
考题
涡流探伤时，试件中涡流产生的磁场总是强化激励电流所产生的磁场。
考题
一般情况下，涡流探伤的探伤频率应在f/fg=（）范围内选取。
考题
填空题电涡流式传感器与激励源频率的关系是：频率越（），电涡流的渗透深度越（），趋肤效应越（）。
考题
单选题如涡流探伤的激励频率降低，而场强不变，则金属棒材中心的涡流密度会（）。A
增加B
减小C
急剧增大D
恒等于0
考题
单选题直径小于Φ0.1mm的金属细丝涡流探伤所用的激励频率约是（）。A
几十兆周B
几百千周C
几千周D
几百周
考题
单选题为了探出所需深度中的缺陷，在涡流探伤中可选用的条件是（）。A
试件电导率B
激励频率C
试件导磁率D
试件尺寸
考题
单选题如涡流探伤的激励频率增加，而场强不变，则试件表面的涡流密度会（）.A
增加B
减小C
不变D
等于0
考题
单选题在涡流探伤中，试件中的涡流方向（）.A
增加激励磁场的变化B
阻碍激励磁场的变化C
与激励磁场变化无关D
只与激励场强绝对值有关
考题
单选题在涡流探伤中，在试件上感生的电流方向（）.A
与激励电流的方向相同B
与激励电流的方向相反C
与激励电流的方向无关D
取决于激励电流是直流还是交流
考题
判断题涡流探伤时，试件中涡流产生的磁场总是强化激励电流所产生的磁场。A
对B
错
考题
单选题在涡流探伤中，试件中感生出的涡流方向是（）。A
增加激励磁场的变化B
阻碍激励磁场变化C
与激励磁场变化无关D
与激励场强绝对值有关
考题
单选题在涡流探伤中，最佳激励频率区域是（）。A
某一定频率B
特征频率C
某一频率范围D
某一点频率
考题
单选题激励绕组的功能是（）。A
发现试件中涡流变化B
在试件中激励出涡流C
发现试件中的分子磁矩D
激励出试件磁畴
