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单选题
在硅酸盐熔体中,当R=O/Si减小时,相应熔体组成和性质发生变化,熔体析晶能力减小,熔体的黏度增大,低聚物数量()
A

增大

B

减小

C

不变

D

不确定


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参考解析
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考题 关于添加CaF2的说法,错误的是()A、降低初晶温度B、减小熔体密度C、减小Al2O3的溶解D、减小熔体的蒸汽压

考题 PP的熔体黏度比较低,因此成型加工流动性良好,特别是当熔体流动速率较高时熔体黏度更小。

考题 熔体组成对熔体的表面张力有重要的影响,一般情况下,O/Si减小,表面张力将()。A、降低B、升高C、不变D、A或B

考题 熔体的能量和晶体的能量只差越小,则析晶倾向()。

考题 在硅酸盐熔体中,当R=O/Si减小时,相应熔体组成和性质发生变化,熔体析晶能力(),熔体的黏度增大,低聚物数量()A、增大B、减小C、不变D、不确定

考题 熔体在输送系统的停留时间变长,熔体黏度降将()。A、增大B、减小C、不变D、不确定

考题 当向冰晶石熔体中添加少量氟化钙,可以使熔体的初晶温度(),密度(),导电率()。

考题 熔体中组分的扩散系数与温度、熔体组成及黏度无关。

考题 在硅酸盐熔体中,当R=O/Si减小时,相应熔体组成和性质发生变化,熔体析晶能力减小,熔体的黏度增大,低聚物数量()A、增大B、减小C、不变D、不确定

考题 低压熔断器的保护性能为:在额定频率和周围空气温度为20℃±5℃时,熔体应符合下列要求()A、熔体应能持续通过不超过其额定电流的任何电流B、熔体应能承受正常使用时可能发生的过载C、对于“g”熔体,当熔体承载不超过约定不熔断电流的任何电流时熔体不熔断;当熔体承载等于或大于约定熔断电流时,在约定时间内熔体熔断D、对于“a”熔体,当熔体承载不超过K1In的电流时,在过载曲线所示的相应时间内熔体不熔化;当熔体承载的电流在K1In和是K2In之间,熔体可以熔化,只要弧前时间大于弧前时间一电流特性所示的值;当熔体承载的电流超过K2In,在包括燃弧时间一电流带范围内,熔体熔断

考题 填空题在Na2O-SiO2熔体中,当Na2O/Al2O32O3使熔体粘度()。

考题 填空题在硅酸盐熔体中,当以低聚物为主时,体系的粘度()、析晶能力()。

考题 单选题熔体组成对熔体的表面张力有重要的影响,一般情况下,O/Si减小,表面张力将()。A 降低B 升高C 不变D A或B

考题 单选题硅酸盐熔体中同时存在许多聚合程度不等的负离子团,其种类、大小和复杂程度随熔体的组成和温度而变。当温度不变时,熔体中碱性氧化物含量增加,O/Si比值增大,这时熔体中()。A 高聚体数量增多B 高聚体数量减少C 高聚体数量多于低聚物数量D 高聚体数量少于低聚物数量

考题 单选题硅酸盐熔体的粘度随O/Si升高而(),随温度下降而()。A 增大,降低B 降低,增大C 增大,增大D 降低,降低

考题 判断题PP的熔体黏度比较低,因此成型加工流动性良好,特别是当熔体流动速率较高时熔体黏度更小。A 对B 错

考题 单选题硅酸盐熔体的黏度随O/Si的上升而()A 上升B 下降C 先上升再下降D 先下降再上升

考题 单选题熔体的组成对熔体的表面张力有很重要的影响,一般情况下,O/Si减小,表面张力将()。A 降低B 升高C 不变D A或B

考题 判断题在硅酸盐熔体中,当以低聚物为主时,体系的粘度低、析晶能力大。A 对B 错

考题 单选题当温度不变时,熔体组成的O/Si比高,低聚物(),粘度()。A 降低;增加B 不变;降低C 增加;降低D 增加;不变

考题 判断题熔体中组分的扩散系数与温度、熔体组成及黏度无关。A 对B 错

考题 单选题硅酸盐熔体中聚合物种类,数量与熔体组成(O/Si)有关,O/Si比值增大,则熔体中的()A 高聚体数量增多B 高聚体数量减少C 高聚体数量不变D 低聚体数量不变

考题 单选题下列关于玻璃的组成叙述错误的是:()A 位于相图中低共熔点的熔体比组成位于界线上的熔体的析晶能力小B 组成位于界线上的熔体比组成位于初晶区的熔体的析晶能力小C 玻璃中若出现析晶,就会破坏玻璃的均一性,是严重缺陷称为失透D 玻璃的形成温度有叫做可拉成丝的最低温度

考题 单选题在硅酸盐熔体中,当R=O/Si减小时,相应熔体组成和性质发生变化,熔体析晶能力(),熔体的黏度增大,低聚物数量()A 增大B 减小C 不变D 不确定

考题 问答题试述熔体粘度对玻璃形成的影响?在硅酸盐熔体中,分析加入—价碱金属氧化物、二价金属氧化物或B2O3后熔体粘度的变化?为什么?

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