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【单选题】构成CCD的基本单元是（）。 A.光电二极管 B.P型硅 C.PN结 D.MOD电容器
A．A
B．B
C．C
D．D
参考答案和解析
D
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考题
CCD（电荷耦合器件）的基本单元是MOS电容，在P型硅基质上，通过氧化生成的氧化膜，即二氧化硅绝缘层，再在绝缘层上通过蒸发和（）形成条形金属电极就构成了MOS结构。A、光刻技术B、转移电荷C、光电效应D、光电转化
考题
单选题CCD（电荷耦合器件）的基本单元是MOS电容，在P型硅基质上，通过氧化生成的氧化膜，即二氧化硅绝缘层，再在绝缘层上通过蒸发和（）形成条形金属电极就构成了MOS结构。A
光刻技术B
转移电荷C
光电效应D
光电转化
考题
单选题减小光电二极管时间常数的基本方法是：（）A
减小光电二极管的接受光的区域的面积；B
减小光电二极管的P—N结的厚度；C
减小后级电路的负载电阻的阻值；D
给光电二极管加较大的反向偏置电压。
考题
单选题非晶硅平板探测器基本结构为（ ）。A
碘化铯闪烁体层、硒层和集点矩阵层、行驱动电路、图像信号读取电路B
碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路C
硒层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路D
非晶硅层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路E
碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、硒层和集点矩阵层、图像信号读取电路
考题
单选题构成CCD的基本元件是（）A
P型硅B
PN结C
发光二极管D
MOS电容器
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