考题
锗二极管的死区电压约为()伏。
A. 0.1B. 0.7C. 0.2D. 0.5
考题
锗材料二极管的死区电压为()V。
A、0.1B、0.3C、0.5D、0.7
考题
三极管加正向偏置时存在一个死区电压,锗管死区电压为()V,硅管为()V。
考题
在三极管的输入特性曲线中,锗管的死区电压约为()左右。
A.0.3VB.0.1VC.0.2VD.0.5V
考题
一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。()
此题为判断题(对，错)。
考题
二极管当中，硅管的开启电压约为（ ）V，锗管约为（ ）V。A.0.10.2
B.0.20.3
C.0.50.1
D.0.50.4
考题
小电流硅二极管的死区电压约为（），正向压约为0.7V。A、0.4VB、0.5VC、0.6VD、0.7V
考题
二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
考题
锗二极管的死区电压为（）V，导通电压为（）V
考题
半导体二极管具有显著的单向导电性，外加正向电压时，锗二极管的死区电压一般为（）。A、0.1～0.3VB、0.3～0.5VC、0.5～0.7VD、0.7～0.8V
考题
二极管真正导通后，锗管的电压约为（）V。A、0.3B、0.5C、0.7D、0.9
考题
二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
考题
硅管的死区电压约为（）V，锗管的死区电压约为（）V。
考题
什么是二极管的死区电压？它是如何产生的？硅管和锗管的死区电压的典型值是多少？
考题
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
硅二极管的导通电压值约为（），锗二极管的导通电压约为（）。
考题
二极管具有（）向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为（）V；硅管约为（）V。
考题
硅二极管和锗二极管的死区电压分别约为（）A、0.6V；0.6VB、0.6V；0.1VC、0.1V；0.6VD、0.1V；0.1V
考题
锗二极管的正向电阻很大，正向导通电压约为0.2V。（）
考题
锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。
考题
硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少？
考题
单选题锗二极管导通时，它两端电压约为（）。A
1VB
0.7VC
0.3VD
0.5V
考题
判断题锗二极管的正向电阻很大，正向导通电压约为0.2V。（）A
对B
错
考题
填空题硅管的死区电压（）伏，锗管的死区电压约为（）伏。
考题
问答题二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
考题
填空题锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。