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PN结所在的几何面到硅片表面的距离，称为

参考答案和解析
结深
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考题 二极管中电流(),晶体管中从C极到E极的电流(),场效应管的漏极电流()。 A、穿过两个PN结B、穿过一个PN结C、不穿过PN结D、穿过三个PN结
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考题 PN结的正向电流随正向电压的增加按()规律变大。 A、指数B、对数C、线性D、几何级数
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考题 三极管的发射极与（）之间的PN结称为（），集电极与（）之间的PN结称为（）。
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考题 PN结加上（）电压就导通，加上（）电压就截止的现象，称为PN结（）。
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考题 在实体特征操作时，拉伸凸台/基体命令对话框中，要使拉伸将结束于该点所在的平行于草图基准面的面，则选择（）拉伸终止条件。A、成形到一顶点B、成形到一面C、到离指定面指定的距离D、成形到实体
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考题 三极管有两个PN结分别称为发射结和集电结
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考题 利用万用表测量晶体二极管内PN结的（）电阻值，可以大致判别出晶体极管的（）、（）和PN结的材料。
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考题 PN结又可以称为耗尽层。
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考题 PN结加正向电压则：（）A、PN结变薄B、PN结变厚C、PN结不变
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考题 PN结具有（）性能，即加正向电压时，PN结（）；加反向电压时，PN结（）。
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考题 晶三级体管内部的两个PN结分别称为（）结和集电结。
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考题 一个三极管有两个PN结，分别称为（）结和（）结。
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考题 光电池的工作原理是基于光生伏特效应的，硅光电池是在N型硅片中掺入P型杂质形成一个大面积的PN结。
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考题 静液面是关井后环形空间中的液面恢复到静止时的液面，从井口到液面的距离称为静液面深度。
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考题 有关基础埋深的叙述，（）是正确的。A、由室外的设计地面到基础底面的距离称为基础埋深B、由室外的设计地面到基础垫层底面的距离称为基础埋深C、由室内的设计地面到基础垫层底面的距离称为基础埋深D、由室内的设计地面到基础底面的距离称为基础埋深
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考题 井眼轴线上某一点，到井口所在水平面的距离称为该点的井深。
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考题 涂层扩散法是用含有磷的溶液代替（）进行（）和加热，使磷向硅片中扩散形成pn结，具有简单易于大型化生产的优点。
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考题 （）是利用晶体管PN结的电流电压特性与温度的关系，把感温的PN结及有关电子线路集成在一个小硅片上的专用集成电路片。A、集成温度传感器B、热电偶C、热电阻D、热敏电阻
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考题 三极管有（）型和（）型两种结构，三极管中集电区与基区之间的PN结称为（）结，基区与发射区之间的PN结成为（）结。
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考题 PN结反向偏置时，PN结的内电场（）。PN具有（）特性。
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考题 将其球面依据某种条件展开成平面的方法，也就是将地球表面上的点、线、面投影到平面的方法，称为（）。A、物理变化B、投影变形C、几何变形D、地图投影
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考题 高程是指地面点到高程起算面的（）距离，到大地水准面称绝对（）或海拔H，到假定水准面称为相对高程或假定高程。
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考题 二极管是由（）构成的。A、1个PN结B、2个PN结C、3个PN结D、4个PN结
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考题 判断题对于质量为m的质点，它到转轴的距离称为转动半径或者称为几何半径。A 对B 错
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考题 填空题高程是指地面点到高程起算面的（）距离，到大地水准面称绝对（）或海拔H，到假定水准面称为相对高程或假定高程。
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考题 判断题虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词，但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结，取而代之的是离子注入。A 对B 错
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考题 判断题井眼轴线上某一点，到井口所在水平面的距离称为该点的井深。A 对B 错
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