考题
PWM型晶体管调压器的调压方法是（）。A、改变晶体管开关的频率B、改变晶体管导通的时间C、改变晶体管的电阻大小D、改变晶体管的放大倍数
考题
当扩散运动与漂移运动达到动态平衡时，即形成了___。当外加电压与内电场的方向相反时，它呈___状态，当外加电压与内电场的方向相同时，它将呈___状态，即___具有单向导电性。A、PN结；导通，截止；PN结B、晶体管；截止，导通；PN结C、晶体管；导通，截止；晶体管D、PN结；截止，导通；晶体管E、晶体管；截止，导通；晶体管
考题
下列电力电子器件中，（）的驱动功率小，驱动电路简单。A、普通晶闸管B、可关断晶闸管C、电力晶体管D、功率场控晶体管
考题
电子调速大多利用（）的电压导通角的可调性来实现。A、晶闸管B、双向晶闸管C、晶体管D、单结晶体管
考题
单结晶体管电路，如发射极电压等于峰点电压UP时，单结晶体管导通，导通后，当发射极电压减小到小于UV时，管子由导通变为截至。（）
考题
晶体管调压器中，晶体管的导通比指的是：（）A、晶体管的相对导通时间B、晶体管的导通时间C、晶体管的截止时间D、晶体管的相对截止时间
考题
已获广泛应用的全控型电力电子器件有电力晶体管GTR、可关断晶体管GTO、电力（）晶体管MOSFET、绝缘删双极型晶体管IGBT和场控晶闸管MCT等
考题
单结晶体管的发射极电压高于谷点电压时，晶体管就导通。
考题
逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（）。A、晶闸管B、电力晶体管C、可关断晶闸管D、电力场效应管
考题
对于不加续流二极管的单相半波整流电路，它的缺点是（）A、当晶闸管承受负向电压时要关断B、当晶体管承受负向电压时将继续导通C、损耗电能大D、损耗电流大
考题
下述电力电子器件中，不能用控制信号控制其导通和关断的是（）A、功率二极管B、功率晶体管C、IGBTD、门极关断晶闸管
考题
恒流驱动电路中，电容C的作用是（）。A、加快功率晶体管开通B、延缓功率晶体管关断C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件
考题
对于功率晶体管的基极驱动电路，驱动电流的后沿应是一个较大的负电流，以利于功率晶体管的（）。A、导通B、寿命C、关断D、饱和
考题
PWM型变换器的开关损失是由导通损失和关断损失组成的。（）
考题
全桥式功率转换电路中，当一组高压开关管导通时，截止晶体管上施加的电压为（）。A、输入电压EB、1/2输入电压C、2倍的输入电压D、1/3输入电压
考题
在放大电路中，晶体管工作在甲类状态导通角θ=（）
考题
请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。
考题
请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。
考题
具有锁定效应的电力电子器件是（）。A、电力晶体管B、晶闸管C、可关断晶闸管D、绝缘栅双极型晶体管
考题
在PWM式晶体管调压器中，当交流发电机负载增加时，功率管的：（）。A、开关频率减小B、开关频率增大C、导通时间减小D、导通时间增大
考题
在晶体管调压器中，当发电机电压升高时，晶体管处于：（）.A、导通时间长，截止时间短B、导通时间短，截止时间长C、导通时间和截止时间都短D、导通时间和截止时间都长
考题
晶体管调压器中，晶体管的占空比：（）A、与晶体管的相对导通时间成正比；B、与晶体管的导通时间成正比；C、与晶体管的截止时间成正比；D、与晶体管的相对截止时间成正比。
考题
在PWM式晶体管调压器中，当发电机电压升高时，功率管：（）.A、导通时间增大B、导通时间减少C、开关频率增加D、开关频率减少
考题
绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由栅极电压来控制的。
考题
恒流驱动电路中，加速电容C的作用是（）。A、加快功率晶体管开通B、延缓功率晶体管关断C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件
考题
填空题电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
考题
单选题对于功率晶体管的基极驱动电路，驱动电流的后沿应是一个较大的负电流，以利于功率晶体管的（）。A
导通B
寿命C
关断D
饱和
考题
问答题用单结晶体管的触发电路，当移相到晶闸管达到某一导通角时，再继续调大导通角时，忽然晶闸管变成全关断是何原因？