考题
锗二极管的死区电压约为()伏。
A. 0.1B. 0.7C. 0.2D. 0.5
考题
二极管真正导通后,硅管的电压约为()V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
考题
二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。
考题
硅晶体管发射结的导通电压约为(),锗晶体管发射结的导通电压约为()。
考题
导通后二极管两端电压变化很小，锗管约为（）。A、0.5VB、0.7VC、0.3VD、0.1V
考题
二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
考题
硅二极管的死区电压约为（）。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
考题
硅管的死区电压约为（）。A、0.8VB、0.9VC、0.7VD、0.6V
考题
硅三极管两端加上正向电压时（）。A、立即导通B、若超过0.3V才导通C、若越过死区电压就导通
考题
晶体二极管的（）特性可简单理解为正向导通，反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
考题
二极管真正导通后，锗管的电压约为（）V。A、0.3B、0.5C、0.7D、0.9
考题
二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
考题
硅管的死区电压约为（）V，锗管的死区电压约为（）V。
考题
硅管的导通压降约为（）V，锗管的导通压降约为（）V。
考题
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
硅二极管的导通电压值约为（），锗二极管的导通电压约为（）。
考题
在常温下，硅二极管的开启电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
考题
二极管具有（）向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为（）V；硅管约为（）V。
考题
二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
考题
在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
考题
导通后二极管两端电压变小，硅管约为（）。A、0.5VB、0.7VC、0.3VD、0.1V
考题
硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少？
考题
单选题锗二极管导通时，它两端电压约为（）。A
1VB
0.7VC
0.3VD
0.5V
考题
单选题硅三极管两端加上正向电压时（）。A
立即导通B
若超过0.3V才导通C
若越过死区电压就导通
考题
填空题硅管的死区电压（）伏，锗管的死区电压约为（）伏。
考题
问答题二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？