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关于PN结正偏时的正确说法是（）。

A．P端接正极，N端接负极

B．P端接负极，N端接正极

C．P端和N端均接正极

D．P端和N端均接负极

参考答案和解析
P端接正极，N端接负极
更多 “关于PN结正偏时的正确说法是（）。A．P端接正极，N端接负极B．P端接负极，N端接正极C．P端和N端均接正极D．P端和N端均接负极” 相关考题
考题 三极管工作在放大状态时,它的两个PN结必须是() A、发射结和集电结同时正偏B、发射结和集电结同时反偏C、集电结正偏，发射结反偏D、集电结反偏，发射结正偏
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考题 耗尽型MOSFET,栅源极之间的PN结()。A、必须正偏B、必须零偏C、必须反偏D、可以正偏、零偏或反偏
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考题 PN结正偏时导通,反偏时截止,所以PN结具有单向导电性。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 对图所示的固定偏置电路，以下说法正确的是（　　）。 A．发射结正偏，集电结反偏，电路对正弦交流信号有放大作用 B．发射结反偏，集电结正偏，电路没有放大作用 C．发射结、集电结均处正偏，电路没有放大作用 D．发射结、集电结均处反偏，电路没有放大作用
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考题 PN结正偏时，正向电流（），相当于PN结（）。A.较小；导通 B.较大；导通 C.较小；截止 D.较大；截止
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考题 PN结正偏的特性是（）。A.正偏电阻小、正偏电流大 B.正偏电阻大、正偏电流小 C.正偏电阻小、正偏电流小 D.正偏电阻大、正偏电流大
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考题 PN结正偏的特性是（）A、正偏电阻小，正偏电流大B、正偏电阻大，正偏电流大C、正偏电阻小，正偏电流小D、正偏电大，正偏电流小
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考题 晶体三极管用于放大时则（）A、发射结反偏，基电结反偏。B、发射结正偏，基电结反偏。C、发射结正偏，基电结正偏。D、发射结反偏，基电结正偏。
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考题 PN结正偏的特性是（）。A、正偏电阻小、正偏电流大B、正偏电阻大、正偏电流大C、正偏电阻小、正偏电流小D、正偏电阻大、正偏电流小
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考题 PN结正偏时，PN结的电阻径大。
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考题 三极管工作在放大状态时，PN结的偏置状态是（）。A、发射结、集电结皆正偏B、发射结、集电结皆反偏C、发射结正偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结正偏
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考题 PN结正偏时，有利于（）载流子的运动，阻碍（）载流子的运行。
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考题 工作在截止区的三极管的两个PN结（）。A、均正偏B、均反偏C、一个正偏，一个反偏D、都不对
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考题 给PN结加正向电压（正偏）时，耗尽层将（）A、变窄B、变宽C、不变
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考题 当晶体三极管的两个PN结都正偏时，晶体三极管处于什么状态？
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考题 PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。
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考题 对于结型场效应管，栅源极之间的PN结（）A、必须正偏B、必须零偏C、必须反偏D、可以任意偏置
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考题 使PN结正偏的方法是：将P区接（）电位，N区接（）电位。
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考题 半导体三极管处在饱和状态时是（）A、发射结反偏集电结反偏B、发射结正偏集电结反偏C、发射结正偏集电结正偏D、发射结反偏集电结正偏
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考题 和开路PN结的结区宽度相比较，当PN结加正偏电压时，其结区宽度将变（）；当PN结加反偏电压时，其结区宽度将变（）
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考题 晶体三极管工作在饱和状态时，其两个PN结的偏置状态是（）A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏
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考题 使PN结正偏的方法是：将P区接（）电位，N区接（）电位。正偏时PN结处于（）状态，反偏时PN结处于（）状态。
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考题 两个PN结均为正偏时，晶体管工作在饱和状态；两个PN结均为反偏时，晶体管工作在截止状态。
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考题 PN结具有（）特性。A、正偏B、反偏C、单向D、双向
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考题 填空题PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。
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考题 单选题三极管工作在放大状态时，它的两个PN结必须是（）。A 发射结和集电结同时反偏B 发射结正偏，集电结反偏C 发射结和集电结同时正偏D 发射结反偏，集电结正偏
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考题 问答题简述PN结光伏效应（分正偏、反偏、零偏三种情况）。
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考题 填空题PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。
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