考题
IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管,它的全称是()。
A.绝缘栅场效应管B.结型场效应管C.绝缘栅双极晶体管D.双极型功率晶体管
考题
场效应管放大电路以()之间的信号作为输入信号。
A、栅极和漏极B、栅极和源极C、漏极和源极D、基极和发射极
考题
线性集成电路是指输入、输出信号呈线性关系的集成电路,是以()为核心。
A、晶体管B、直流放大器C、二极管D、场效应管
考题
CMOS电路是指（）。A、场效应管晶体管组成的电路B、P和N型场效应管互补组成的电路C、P型场效应管组成的电路D、N型场效应管组成的电路
考题
以下几种混频器电路中，输出信号频谱最纯净的是（）A、二极管混频器B、晶体管混频器C、场效应管混频器D、模拟乘法器混频电路
考题
触发电路主要是用（）。A、二极管B、三极管C、场效应管D、单结晶体管
考题
下列描述正确的是（）A、场效应管是电压控制电流元件B、场效应管输入电阻较小C、场效应管是双极型晶体管
考题
TTL电路是晶体管-晶体管逻辑电路，它由NPN或PNP型晶体管组成，CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路，由绝缘栅场效应管组成。
考题
双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号（即驱动信号）为（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制，场效应管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制，场效应管为电压控制
考题
三极管和场效应晶体管的控制信号（即驱动信号）为（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、三极管为电压控制，场效应管为电流控制D、三极管为电流控制，场效应管为电压控制
考题
双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号为（）。A、电压B、电流C、双极型为电压、场效应为电流D、双极型为电流、场效应为电压
考题
晶体管延时电路可采用单结晶体管延时电路、不对称双稳态电路的延时电路及MOS型场效应管延时电路三种来实现。
考题
双极型晶体管是（）控制器件，单极型晶体管是（）控制器件。
考题
TTL集成门电路是指（）。A、二极管---三极管集成门电路B、晶体管---晶体管集成门电路C、N沟道场效应管集成门电路D、P沟道场效应管集成门电路
考题
（）具有不同的低频小信号电路模型。A、NPN型管和PNP型管B、增强型场效应管和耗尽型场效应管C、N沟道场效应管和P沟道场效应管D、晶体管和场效应管
考题
场效应管是（）制型元件，而双极型三极管是（）控制型元件。
考题
在离子感烟式火警探测器测量电路中，一级二级放大分别采用（）A、晶体管晶体管B、场效应管晶体管C、晶体管场效应管D、场效应管场效应管
考题
IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管，它的全称是（）。A、绝缘栅场效应管B、结型场效应管C、绝缘栅双极晶体管D、双极型功率晶体管
考题
双极晶体管放大电路共射极接法所对应的场效应管放大电路是（）接法。A、共基极B、共源极C、共漏极D、共栅极
考题
双极型晶体管工作在放大区偏置条件是（）增强型N沟道的场效应管工作在放大区的偏置条件是（）。
考题
双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制，场效应晶体管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制，场效应晶体管为电压控制
考题
单选题下列描述正确的是（）A
场效应管是电压控制电流元件B
场效应管输入电阻较小C
场效应管是双极型晶体管
考题
多选题开关电源中常用的功率开关器件主要有（）A双极型晶体管BJTB快速晶闸管SCRC场效应管MOSFETD绝缘栅双极性晶体管IGBT
考题
填空题双极型晶体管可以作为放大晶体管，也可以作为（）来使用，在电路中得到了大量的应用。
考题
问答题1）试比较射频场效应管与射频双极型晶体管结构和特性上的差异。 2）试讨论晶体管小信号模型和大信号模型的主要区别。请问能否使用晶体管大信号模型分析射频小信号。
考题
单选题双极晶体管放大电路共射极接法所对应的场效应管放大电路是（）接法。A
共基极B
共源极C
共漏极D
共栅极