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题目内容
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单选题
从FP1至O1的连续，每20%为一个电极的位置为（ ）。
A
FP1，C3，F3，P3，O1
B
FP1，F3，C3，P3，O1
C
FP1，Fl，F3，C3，O1
D
FP1，Fl，C3，P3，O1
E
FP1，F3，CZ，P3，O1
参考答案
参考解析
解析：
从FP1至O1和从FP2至O2各做一连线，为左、右矢状旁连线。从FP1和FP2向后每20%为一个电极位点，左侧依次为F3（左额）、C3（左中央）、P3（左顶）和O1（左枕），右侧依次为F4（右额）、C4（右中央）、P（右顶）4和O2（右枕）。
从FP1至O1和从FP2至O2各做一连线，为左、右矢状旁连线。从FP1和FP2向后每20%为一个电极位点，左侧依次为F3（左额）、C3（左中央）、P3（左顶）和O1（左枕），右侧依次为F4（右额）、C4（右中央）、P（右顶）4和O2（右枕）。
更多 “单选题从FP1至O1的连续，每20%为一个电极的位置为（ ）。A FP1，C3，F3，P3，O1B FP1，F3，C3，P3，O1C FP1，Fl，F3，C3，O1D FP1，Fl，C3，P3，O1E FP1，F3，CZ，P3，O1” 相关考题
考题
一个结构中有三根拉压杆,设由这三根杆的强度条件确定的结构许用载荷分别为FP1,FP2,FP3,且FP1>FP2>FP3,则该结构的实际许可载荷FP为()
AFP1BFP3C(FP1+FP3)/2DFP2
考题
有如下程序includemain(){FILE*fpl; fpl=fopen("f1.txt","w"); fprintf(fp1,"abc"); f
有如下程序 #include＜stdio．h＞ main() { FILE *fpl； fpl=fopen("f1．txt","w"); fprintf(fp1,"abc")； fclose(fp1)； } 若文本文件f1．txt中原有内容为：good，则运行以上程序后文件f1．txt中的内容为A．goodabcB．abcdC．abcD．abcgood
考题
有如下程序:include main(){ FILE*fp1;fp1=fopen("f1.txt","w");fprintf(fp1, "abc");
有如下程序： #include ＜stdio.h＞ main() { FILE *fp1; fp1=fopen("f1.txt","w"); fprintf(fp1, "abc"); fclose(fp1); } 若文本文件f1.txt中原有内容为good，则运行以上程序后文件f1.txt中的内容为( )。A．goodabcB．abcdC．abcD．abcgood
考题
有如下程序#include〈stdio.h〉main(){FILE *fp1;fp1=fopen("f1.txt","w");fprintf(fp1,"abc");fclose(fp1);}若文本文件f1.txt中原有内容为：good，则运行以上程序后文件f1.txt中的内容为A．goodabcB．abcdC．abcD．abcgood
考题
以下程序的功能是# include stdio.hmain (){ FILE *fp1;*fp2; fp1=fopen ("file1","r"); fp2=fopen ("file2","w"); while (!feof (fp1)) fputc (fgetc (fp1),fp2); fclose (fp1); fclose (fp2);}A．将磁盘文件的内容显示在屏幕上 B．将两个磁盘文件合为一个C．将一个磁盘文件复制到另一个磁盘文件中D．将两个磁盘文件合并后送屏幕
考题
有如下程序includemain(){FILE*fp1;fp1;fopen("ftxt","w");fprintf(fpl, "abc")fclose
有如下程序 #include ＜stdio.h＞ main() { FILE *fp1； fp1；fopen("ftxt","w")； fprintf(fpl, "abc") fclose(fpl); } 若文本文件f1.txt中原有内容为：good，则运行以上：程序后文件f1.Mt中的内容为A．goodabcB．abcdC．abcD．abcgood
考题
有如下程序#include stdio.hmain(){ FILE *fp1; fp1=fopen("f1.txt","w"); fprintf(fp1,"abc"); fclose(fp1);}若文本文件f1.txt中原有内容为good，则运行以上程序后，文件f1.txt中的内容为A．goodabc B．abcd C．abc D．abcgood
考题
有如下程序:includestdio.hmain{ FILE*fp1;fp1=fopen(f1.txt,wstdio．hmain{ FILE*fp1；fp1=fopen(f1．txt，w)；fprintf(fp1，abe)；fclose(fp1)；}若文本文件f1．txt中原有内容为：good。则运行以上程序后文件f1．txt中的内容为( )。A.goodabcB.bcdC.abcD.abcgood
考题
以下程序的功能是()includemain(){FILE * fp1;*fp2;fp1=fopen("filel","r");fp2=fopen
以下程序的功能是( ) #include＜stdio．h＞ main() {FILE * fp1； *fp2； fp1=fopen("filel"，"r")； fp2＝fopen("file2"，"w")； while(!feof(fp1)) fputc(fgetc(fp1)，fp2)； fclose(fp1)；fclose(fp2)；}A．将磁盘文件的内容显示在屏幕上B．将两个磁盘文件合为一个C．将一个磁盘文件复制到另一个磁盘文件中D．将两个磁盘文件合并后送屏幕
考题
有如下程序: include main ( ){FILE* fpl;fp1 = fopen("ftxt" ,"w");fpfinff( fp1 ,"
有如下程序: #include ＜stdio.h＞ main ( ) { FILE* fpl; fp1 = fopen("ftxt" ,"w"); fpfinff( fp1 ," abc" ); fclose ( fp1 ); 若文本文件f1.txt中原有内容为：good，则运行以上程序后文件f1.txt中的内容为( )。A．goodabcB．abcdC．abcD．abegood
考题
有如下程序:include main (){FILE*fp1;fp1=fopen ("fl.txt", "w");fprintf(fp1,"abc"
有如下程序：#include ＜stdio. h＞main (){ FILE *fp1； fp1=fopen ("fl.txt", "w")； fprintf(fp1,"abc")； fclose (fp1)；}若文本文件f1.txt 中原有内容为：good，则运行以上程序后文件f1．txt 中的内容为( )。A．goodabcB．abedC．abcD．abcgood
考题
以下程序的功能是()。includemain(){FILE*fPl;*fp2;fp1:fopen("file1","r");fp2:fopen(
以下程序的功能是( )。 # include ＜stdio.h＞ main() {FILE*fPl； *fp2； fp1：fopen("file1"，"r")； fp2：fopen("file2"，"w")； while(! Feof(fP1)) fputc(fgetc(fP1)，fp2)； fclose(fP1)；fclose(fp2)；}A．将磁盘文件的内容显示在屏幕上B．将两个磁盘文件合为一个C．将一个磁盘文件复制到另一个磁盘文件中D．将两个磁盘文件合并后送屏幕
考题
下列程序的功能是（）。 #include main( ) { FILE *fp1,*fp2; fp1=fopen(“d1.dat”,“r”); fp2=fopen(“d2.dat”,“w”); while(!feof(fp1)) fputc(fgetc(fp1),fp2)); fclose(fp1); fclose(fp2); }
考题
单选题关于国际10-20系统电极的位置的叙述，正确的是（ ）。A
Oz与枕外粗隆的间距为20%B
双耳前凹连线距左耳前凹10%处为T4电极位置C
从鼻根向后20%处为FPz位置D
从FPz位置向左10%为FP1，FP1向后每个电极间距为20%E
O1与O2间距为10%
考题
单选题国际10～20系统的电极位置，正确的是（）。A
O2与枕外粗隆的间距为20％B
双耳前凹连线距左耳前凹10％处为T4电极位置C
从鼻根向后20％处为FPz位置D
从FP2位置向左10％为Fp1，Fp1向后每个电极间距为20％E
01与02间距为10％
考题
填空题下列程序的功能是（）。 #include main( ) { FILE *fp1,*fp2; fp1=fopen(“d1.dat”,“r”); fp2=fopen(“d2.dat”,“w”); while(!feof(fp1)) fputc(fgetc(fp1),fp2)); fclose(fp1); fclose(fp2); }
考题
单选题如下图所示，闪光刺激15Hz时，Fp1导此时脑电现象最可能是（ ）。A
左侧前额导阵发性棘波节律B
心电干扰C
Fp1导电极线折断D
15Hz闪光刺激时Fp1导引起15Hz的光电效应伪差E
15Hz闪光刺激时Fp1导引起15Hz的光驱动反应
考题
单选题纵向双极导联显示时，FP1-F3为－100μV，F3-C3为＋200μV，C3-P3为－150μV，P3-O1为－150μV。以下解释正确的是（ ）。A
电场范围从FP1到O1均为负性，C3的负性最大。B
电场范围从FP1到O1均为负性，F3的负性程度大于P3C
电场范围从F3到P3均为负性，C3的负性程度大F3和P3D
电场范围从F3到P3均为正性，C3的正性程度大F3和P3E
电场范围从F3到P3均为正性，P3的正性程度大于F3
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