网友您好, 请在下方输入框内输入要搜索的题目:

题目内容 (请给出正确答案)
单选题
手提式半导体扩音器电路采用晶体管或( )。
A

照明良好 

B

携带方便 

C

不具备火场指挥 

D

不用音频放大器


参考答案

参考解析
解析: 暂无解析
更多 “单选题手提式半导体扩音器电路采用晶体管或( )。A 照明良好B 携带方便C 不具备火场指挥D 不用音频放大器” 相关考题
考题 TTL电路是晶体管£­晶体管逻辑电路,它由NPN或PNP型晶体管组成,CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路,由绝缘栅场效应管组成。() 此题为判断题(对,错)。

考题 为了消除间歇振荡器在晶体管突然截止时,变压器线圈原方产生的反冲电压击穿晶体管或产生振荡,常采用()。 A、解耦电路B、阻尼电路C、解调电路

考题 电子点火实际上就是利用半导体器件作为开关,( )或( )初级电流,因而又称为半导体点火或晶体管点火。

考题 手提式半导体扩音器电路采用晶体管或()。(A)二极管(B)三极管(C)多极管(D)集成电路

考题 第三代计算机采用集成电路作为逻辑元件,而其存储器采用( )。A.电子管B.晶体管C.半导体D.大规模集成电路

考题 手提式半导体扩音器是扩音设备的一种,可用于火场指挥。

考题 TTL电路是晶体管-晶体管逻辑电路,它由NPN或PNP型晶体管组成,CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路,由绝缘栅场效应管组成。

考题 微电子技术的核心是()。A、电子元器件技术B、集成电路技术C、晶体管技术D、半导体技术

考题 从半导体加工技术方面看,微机上一般多采用()。A、MOS晶体管B、DOS晶体管C、POS晶体管

考题 TTL集成电路,()。A、采用的是金属-半导体-MOS场效应管逻辑B、采用的是晶体管-晶体管逻辑C、电源一般为+5VD、电源一般为-5VE、电源一般为+9V

考题 下列关于集成电路的叙述中错误的是()A、集成电路是将大量晶体管、电阻及互连线等制作在尺寸很小的半导体单晶片上B、现代集成电路使用的半导体材料通常是硅或砷化镓C、集成电路根据它所包含的晶体管数目可分为小规模、中规模、大规模、超大规模和极大规模集成电路D、集成电路按用途可分为通用和专用两大类。微处理器和存储器芯片都属于专用集成电路

考题 微电子技术的典型代表是()。A、晶体管B、微电脑C、集成电路D、半导体

考题 微电子技术是研制、生产微小型电子元件及产品技术,它的核心是()A、晶体管技术B、半导体晶体管技术C、集成电路技术D、电子管技术

考题 固体半导体摄像元件CCD是一种()A、PN结光电二极管电路B、PNP型晶体管集成电路C、MOS型晶体管开关集成电路D、NPN型晶体管集成电路

考题 第三代计算机使用()作为电路元件A、晶体管B、多晶硅C、半导体D、集成电路

考题 手提式半导体扩音器电路采用晶体管或( )。A、照明良好B、携带方便C、不具备火场指挥D、不用音频放大器

考题 晶体管是在PN接合半导体上,再接合一块P型或N型半导体

考题 交流晶体管调压器整形放大电路改善波形的措施有()A、提高晶体管的饱和深度或采用正反馈B、采用正反馈和负反馈C、提高晶体管的饱和深度和放大系数D、提高晶体管的放大倍数或采用负反馈

考题 在晶体管过压保护器中,影响延时时间的因素包括:()A、晶体管中采用何种半导体材料;B、延时电路中电容的大小;C、基准电压电路中稳压二极管的功率大小;D、电压比较和触发电路中晶体管的放大倍数。

考题 单选题微电子技术的典型代表是()。A 晶体管B 微电脑C 集成电路D 半导体

考题 单选题( ),主存储器采用半导体,每秒运行超亿次使计算机的应用大型化微型化两级发展。A 电子管B 晶体管C 尤集成电路D 大规模导成电路

考题 填空题半导体集成电路是采用半导体工艺技术,在硅基片上制作包括电阻、电容、()、晶体管等元器件并具有某种电路功能的集成电路。

考题 单选题手提式半导体扩音器电路采用晶体管或( )。A 二极管B 三极管C 多极管D 集成电路

考题 判断题手提式半导体扩音器是扩音设备的一种,可用于火场指挥。A 对B 错

考题 单选题第三代计算机使用()作为电路元件A 晶体管B 多晶硅C 半导体D 集成电路

考题 单选题为了消除间歇振荡器在晶体管突然截止时,变压器线圈原方产生的反冲电压击穿晶体管或产生振荡,常采用()。A 解耦电路B 阻尼电路C 解调电路

考题 单选题从半导体加工技术方面看,微机上一般多采用()。A MOS晶体管B DOS晶体管C POS晶体管