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单选题
杂质半导体中多数载流子的浓度取决于（）
A

温度

B

杂质浓度

C

电子空穴对数目

D

都不是

参考答案

参考解析
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考题 在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于();当杂质浓度一定时,少数载流子的浓度与()有关。 A、掺杂种类B、掺杂浓度C、温度D、电压
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考题 在P型半导体中,()为多数载流子。在N型半导体中,()为多数载流子。 A、空穴，空穴B、空穴，电子C、电子，电子D、电子，空穴
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考题 杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。 A、杂质浓度B、温度C、输入D、电压
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考题 空穴为多数载流子的杂质半导体称为()半导体。
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考题 杂质半导体中的多数载流子浓度取决于() A、掺杂浓度B、工艺C、温度D、晶体缺陷
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考题 自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子的杂质半导体称为P型半导体。()
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考题 在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于()。 A、温度B、杂质浓度C、原本征半导体的纯度
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考题 在N型半导体中,自由电子的数目比空穴数目多得多,故自由电子称为多数载流子,空穴称为少数载流子。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于() ,而多数载流子的浓度则与()有很大关系。 A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷E.空穴F.自由电子
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考题 P型半导体，又称空穴型半导体，这种半导体空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
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考题 本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。A、自由电子，空穴；扩散，飘移B、空穴，自由电子；漂移，扩散C、空穴，自由电子；扩散，漂移D、自由电子，空穴；漂移，扩散E、自由电子，空穴；扩散，扩散
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考题 在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷
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考题 N型杂质半导体中，多数载流子是（）A、正离子B、负离子C、空穴D、自由电子
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考题 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。
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考题 在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） ，而多数载流子的浓度则与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷E、空穴F、自由电子
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考题 下列关于P型半导体中载流子的描述，正确的是（）A、仅自由电子是载流子B、仅空穴是载流子C、自由电子和空穴都是载流子D、三价杂质离子也是载流子
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考题 在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（），而少数载流子的浓度则与（）有很大关系
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考题 杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。A、温度B、掺杂工艺C、掺杂浓度D、晶格缺陷
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考题 在杂质半导体中，少数载流子的浓度与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体管缺陷
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考题 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（），而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。
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考题 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体管缺陷
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考题 杂质半导体中多数载流子的浓度取决于（）A、温度B、杂质浓度C、电子空穴对数目D、都不是
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考题 在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（）。A、晶体缺陷B、温度C、杂质浓度D、掺杂工艺
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考题 单选题在P型半导体中多数载流子是（）。A 电子B 离子C 空穴D 杂质
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考题 单选题在P型半导体中多数载流子是（），在N型半导体中多数载流子是（）。A 空穴／自由电子B 自由电子／空穴C 空穴／共价键电子D 负离子／正离子
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考题 填空题自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。
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考题 单选题N型杂质半导体中，多数载流子是（）A 正离子B 负离子C 空穴D 自由电子
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