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2、当（）时双极型晶体管处于饱和状态。

A．发射极正偏，集电极反偏

B．发射极正偏，集电极正偏

C．发射结正偏，集电结反偏

D．发射结正偏，集电结正偏

参考答案和解析
发射结正偏，集电结正偏
更多 “2、当（）时双极型晶体管处于饱和状态。A．发射极正偏，集电极反偏B．发射极正偏，集电极正偏C．发射结正偏，集电结反偏D．发射结正偏，集电结正偏” 相关考题
考题 双极型晶体管是电流控件,单极型晶体管是电压控件。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 当三极管的两个PN结都反偏时,则三极管处于()。 A.饱和状态B.放大状态C.截止状态
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考题 当晶体管的两个PN结都反偏时,则晶体管处于()。 A、饱和状态B、放大状态C、截止状态
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考题 三极管处于饱和状态时,其集电结处于()状态,三极管处于截止状态时,其基极电流应为()。
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考题 对于双极型晶体三极管(简称晶体管)，如下不正确的描述是( )。A.晶体管的工作状态可分为截止状态、放大状态和饱和状态 B.晶体管的工作区域可分为线性区和非线性区 C.晶体管工作状态可由开关接通与断开的电路模型表示 D.晶体管存在开关状态和放大状态两种工作状态
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考题 当晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，则晶体三极管处于（）。A、放大状态B、饱和状态C、截止状态
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考题 当晶体管的发射结正偏，集电结正偏时，晶体管处于饱和状态。
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考题 当晶体管的发射结正偏，集电结正偏，晶体管处于饱和状态。
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考题 绝缘栅双极型晶体管内部为（）层结构。
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考题 在晶体管电路中，三极管的集电极和发射极处于正偏压状态时，则三极管是处于（）。A、放大状态B、截止状态C、饱和状态D、工作状态
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考题 当三极管的两个PN结都反偏时，则三极管处于（）。A、饱和状态B、放大状态C、截止状态
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考题 绝缘栅双极型晶体管简称（）。A、MOSFETB、IGBTC、GTRD、GTO
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考题 双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号（即驱动信号）为（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制，场效应管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制，场效应管为电压控制
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考题 双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号为（）。A、电压B、电流C、双极型为电压、场效应为电流D、双极型为电流、场效应为电压
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考题 当晶体三极管处于饱和状态时。三极管相当于开关的（）状态。
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考题 当晶体管处于开关饱和状态下，BE结处于（）、BC结处于（）A、正偏；正偏B、正偏；反偏C、反偏；正偏D、反偏；反偏
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考题 双极型晶体管是（）控制器件，单极型晶体管是（）控制器件。
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考题 三极管的偏置情况为（）时，三极管处于饱和状态。
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考题 当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为uC（）uB（）uE。
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考题 双极型晶体管（BJT）放大偏置时，应在其发射结加（）电压，在集电结加（）电压。
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考题 对于双极型晶体三极管（简称晶体管），如下不正确的描述是（）。A、晶体管的工作状态可分为截止状态、放大状态和饱和状态B、晶体管的工作区域可分为线性区和非线性区C、晶体管工作状态可由开关接通与断开的电路模型表示D、晶体管存在开关状态和放大状态两种工作状态
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考题 GTR是一种（）晶体管．A、双极型B、单极型C、混合型D、三极型
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考题 绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。
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考题 双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制，场效应晶体管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制，场效应晶体管为电压控制
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考题 三极管处于饱和状态时，其集电结和发射结都处于反偏。
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考题 多选题绝缘栅双极型晶体管IGBT属于（）器件。A相控型B全控型C电压控制型D复合型E双极型
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考题 判断题双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。A 对B 错
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考题 单选题当晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，则晶体三极管处于（）。A 放大状态B 饱和状态C 截止状态
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