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PMOS管的衬底电位可以直接加在器件所在的N型阱区上。
参考答案和解析
错误
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考题
通常，一个线性排列的CCD元件有P型硅衬底和许多电极组成，在铝电极和硅衬底之间有一层二氧化硅，电极上存在高电位时将形成耗尽区，这是（）的结果。A、空穴移向衬底深处B、空穴移向二氧化硅层C、电子移向二氧化硅层D、电子移向衬底层深处
考题
单选题按照衬底材料不同，硅光电二极管分为2CU和2DU两种系列。它们主要有两个不同点：请选择正确的答案（）A
2CU是以N-Si为衬底，2DU是以P-Si为衬底；2CU型管还设了一个环极；B
2CU是以P-Si为衬底，2DU是以N-Si为衬底，2CU型管还设了一个环极；C
2CU是以N-Si为衬底，2DU是以P-Si为衬底，2DU型管还设了一个环极；D
2CU是以P-Si为衬底，2DU是以N-Si为衬底，2DU型管还设了一个环极。
考题
单选题关于N型半导体的下列说法，正确的是（）。A
只存在一种载流子：自由电子B
在二极管中，N型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极C
在纯净的硅衬底上，分散三价元素，可形成N型半导体D
在PNP型的晶体管中，基区正是由N型半导体构成
考题
单选题通常，一个线性排列的CCD元件有P型硅衬底和许多电极组成，在铝电极和硅衬底之间有一层二氧化硅，电极上存在高电位时将形成耗尽区，这是（）的结果。A
空穴移向衬底深处B
空穴移向二氧化硅层C
电子移向二氧化硅层D
电子移向衬底层深处
考题
填空题N沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。
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