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什么叫CVD？请详细说明。
参考答案和解析
优点①膜层纯度一般很高,很致密,容易形成结晶定向好的材料;例如:用蓝宝石基片,用CVD制备α-Al2O3单晶材料,其杂质含量为30—34ppm,远小于蓝宝石本身的杂质含量;②能在较低温度下制备难熔物质;例如用WF6沉积W时,沉积温度500—700℃,远低于W的熔点。③可人为掺杂,制备各种半导体、氧化物和化合物膜。缺点基体温度高,沉积速度低,设备较电镀法复杂,难于局部沉积,有一定毒性,应用不如蒸镀、溅射广泛。
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