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1．试用位错理论简要解释单晶体滑移变化过程。
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考题
单选题在晶体滑移过程中（）A
由于位错不断移出滑移面，位错密度随形变量的增加而减少B
由于位错的增殖，位错密度随形变量的增加而增高C
由于晶界不断吸收位错，位错密度随形变量的增加而减少D
由于位错的消失（移出滑移面）和增殖的共同作用，位错的密度基本不变
考题
单选题位错的运动包括位错的滑移和位错的攀移，其中（）。A
螺位错只作滑移，刃位错既可滑移又可攀移B
刃位错只作滑移，螺位错只作攀移C
螺位错只作攀移，刃位错既可滑移又可滑移D
螺位错只作滑移，刃位错只作攀移
考题
填空题位错是在滑移面上局部滑移区的边界，位错分为刃位错和螺位错，刃位错的方向与滑移的方向（），螺位错的方向与滑移的方向（）。
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