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金属基底冠桥的预氧化应在除气基础上再加热至预定终点温度，在非真空状态下继续维持

A．0.5～1.0min

B．1～3min

C．5～10min

D．20～30min

E．30min以上

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考题 金属烤瓷冠桥修复中，除气、预氧化的目的是A、增强金-瓷的结合强度B、增强基底冠的强度C、增加基底冠的厚度D、利于遮色瓷的涂塑E、增强瓷冠的光泽度
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考题 金瓷基底冠桥进行氧化，是在除气的基础上再加热。至预定终点温度时在非真空状态下应继续维持A、1～2分钟B、3～5分钟C、5～10分钟D、10～12分钟E、12～15分钟
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考题 通过对金属基底冠进行除气，预氧化操作能达到A．去除金属表面有机物B．释放金属表层气体C．释放金属内部应力D．在金属表面形成氧化膜E．降低金属热膨胀系数
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考题 通过对金属基底冠进行除气，预氧化操作不能达到的是A．去除金属表面有机物B．释放金属表层气体C．释放金属内部应力D．在金属表面形成氧化膜E．降低金属热膨胀系数
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考题 通过对金属基底冠进行除气，预氧化操作的目的是A．便于遮色层附着B．去除金属表面有机物C．释放金属表层气体D．释放金属内部应力E．在金属表面形成氧化膜
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考题 金瓷结合界面处理恰当与否关系到金瓷结合强度，因此严格进行正确的处理才能保证PFM冠的质量PFM基底冠的打磨处理中错误的是A、用钨钢针磨除贵金属表面的氧化物B、用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物C、打磨时用细砂针多方均匀地打磨出金瓷结合．部要求的外形D、禁止使用橡皮轮磨光E、用50～100μm的氧化铝喷砂PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是A、非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜B、贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜C、非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜D、非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同E、理想的氧化膜厚度为0．2～2μm
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考题 烤瓷合金的预氧化是在除气的基础上，再加热至预定的终点温度，在非真空下继续维持A、18～20minB、15～17minC、11～13minD、5～10minE、2～4min
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考题 PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是A．非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜B．贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜C．巴非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜D．非贵金属预氧化烧结的温度与OP层烧结的温度相同E．理想的氧化膜厚度为0.2～2μm
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考题 金瓷结合界面处理恰当与否关系到金瓷结合强度，因此严格进行正确的处理才能保证PFM冠的质量PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是（）。A、非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜B、贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜C、非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜D、非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同E、理想的氧化膜厚度为0.2～2μm
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考题 下列有关烤瓷金属内冠除气的说法，正确的是（）A、除气即是用在炉内加热的方法排除合金中残留的气体，并形成氧化膜B、贵金属需在半真空下加热10～15分钟即可C、非贵金属需在半真空下加热5分钟即可D、理想的氧层厚度是0.2～2μmE、氧化层厚度与金属-烤瓷结合强度成正变关系
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考题 单选题烤瓷合金的预氧化是在除气的基础上，再加热至预定的终点温度，在非真空下继续维持（　　）。A 18～20minB 15～17minC 11～13minD 5～10minE 2～4min
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考题 单选题金瓷基底冠桥进行氧化，是在除气的基础上再加热。至预定终点温度时在非真空状态下应继续维持（）A 1～2分钟B 3～5分钟C 5～10分钟D 10～12分钟E 12～15分钟
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考题 单选题非贵金属烤瓷桥修复，金属基底预氧化应在除气的基础上再加热至预定终点温度，在非真空状态下继续维持的时间为（　　）。A 1minB 2minC 3minD 4minE 5min
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考题 单选题金属基底冠处理中，下列哪项是错误的？（　　）A 砂针打磨B 喷砂C 超声波清洗D 除气、预氧化E 低温烧结
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考题 单选题金属烤瓷冠桥修复中，除气、预氧化的目的是（　　）。A 增强金-瓷的结合强度B 增强基底冠的强度C 增加基底冠的厚度D 利于遮色瓷的涂塑E 增强瓷冠的光泽度
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