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X射线中的电子线污染对剂量分布影响主要表现为（）
- A、治疗深度
- B、建成区宽度
- C、射野平坦度
- D、射野对称性
- E、建成区（包括皮肤表面）的剂量
参考答案
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考题
高能电子束的PDD曲线可大致分为A、剂量建成区、高剂量坪区、低剂量区B、表面剂量区、低剂量坪区、剂量上升区C、表面剂量区、剂量跌落区、低剂量坪区以及X射线污染区D、表面剂量区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区E、剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区
考题
当高能电子束能量增大时，其PDD曲线随能量变化的关系是A、PDD表面剂量减少、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染增加B、PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染增加C、PDD表面剂量增加、坪区变窄、剂量梯度减少以及X射线污染增加D、PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度增大以及X射线污染增加E、PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染减少
考题
日常影响加速器正常运行的主要因素是：()。A.输出剂量高，工作紧张B.能量选择范围宽，容易乱C.射线种类有X线、电子线，可出错D.高技术产品，结构复杂，故障多E.X射线能量高，表面剂量低
考题
有关TBI射线能量的选择，以下不正确的是（）A、原则上所有高能X（γ）线均能作全身照射B、TBI的剂量分布受组织侧向效应的影响C、TBI的剂量分布受组织剂量建成区的影响D、体中线与表浅部位间剂量的比值不随能量变化E、选择侧位照射技术，至少应用6MV以上的X射线
考题
可以实施术中放射治疗的射线源有（）A、深部X射线、高能电子线、高剂量率锁-192后装放射源B、钴-60γ射线、高能电子线、高剂量率铱-192后装放射源C、深部X射线、低能电子线、低能X射线D、钴-60γ射线、低能电子线、高剂量率铱-192后装放射源E、钴-60γ射线、高能电子线、低剂量率铱-192后装放射源
考题
关于能量对电子束百分深度剂量的影响，哪项描述正确（）？A、随射线能量增加，表面剂量减少B、随射线能量减小，X射线污染减少C、随射线能量增加，高剂量坪区变宽D、随射线能量减小，剂量梯度增大
考题
日常影响加速器正常运行的主要因素是（ ）A、输出剂量高，工作紧张B、能量选择范围宽，容易乱C、射线种类有X线、电子线，可出错D、高技术产品，结构复杂，故障多E、X射线能量高，表面剂量低
考题
单选题日常影响加速器正常运行的主要因素是（ ）A
输出剂量高，工作紧张B
能量选择范围宽，容易乱C
射线种类有X线、电子线，可出错D
高技术产品，结构复杂，故障多E
X射线能量高，表面剂量低
考题
单选题关于铅挡块对射野剂量分布影响的叙述，不正确的是（）A
挡块的漏射改变了有效原射线的剂量分布B
挡块的散射改变了有效原射线的剂量分布C
挡块主要通过其本身对射线的散射而影响射野剂量分布D
挡块改变了体膜散射的条件E
挡块改变了体膜散射的范围
考题
单选题高能电子束的PDD曲线可大致分为以下几个区域（）A
剂量建成区、高剂量坪区、低剂量区B
表面剂量区、低剂量坪区、剂量上升区C
表面剂量区、剂量跌落区、低剂量坪区以及X射线污染区D
表面剂量区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区E
剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区
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