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以下工序不可能产生废水的是()。

  • A、烘干
  • B、表调
  • C、磷化
  • D、超滤

参考答案

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考题 (2012年)多晶硅切片加工项目的生产工艺为:硅锭--刨方定位--切片---纯水清洗--电烘干,其中切片工序循环使用碳化硅及聚乙二醇切割液,产生废水的工序是( )。A.刨方定位工序 B.切片工序 C.清洗工序 D.烘干工序

考题 多晶硅切片加工项目的生产工艺为硅锭→剖方定位→切片→纯水清洗→电烘干,其中切片工序循环使用碳化硅及聚乙二醇切割液,产生废水的工序是()。A:剖方定位工序 B:切片工序 C:清洗工序 D:烘干工序

考题 第五题 电子元件厂 某公司拟在工业园区建设一电子元器件生产企业A厂。电子元器件生产以硅片为基材,经氨水清洗,氢氟酸/硫酸蚀刻、砷化氢掺杂、硫酸铜化学镀等工序得到产品。其中掺杂工序和化学镀工序流程见图5 -1。 生产过程中产生的清洗废水、蚀刻废水、尾气洗涤塔废水、化学镀废水经预处理后进最终中和池,最终中和池出水排入园区污水处理厂。废水预处理后的情况见表5 -1。 园区污水处理厂处理能力为5.0*104t/d。目前实际处理量为3.3*104t/d。接管水质要求为COD350mg/L、NH3-N25 mg/L、TP6mg/L,其他指标需达到《污水综合排放标准》(GB 89781996)表的表4三级排放标准氟化物20mg/L.Cu2.0mg/L.As0.5mg/L)。 氨水清洗工序产生的清洗废水中氨含量为0. 02%,为降低废水中氨浓度,拟采取热交换吹脱法除氨,氨的吹脱效率为80%,吹脱出的氨经15m高排气筒排放(GB 14554-1993规定,15m高排气筒氨排放限值为4. 9kg/h)。 【问题】 1.给出掺杂工序和化学镀工序废水、废气特征污染因子。 2.根据项目废水预处理情况,判别A厂废水能否纳入园区污水处理厂,说明理由。 3.列出掺杂工序、化学镀工序废水预处理产生的污泥处置要求。 4.评价本工程采用的热交换吹脱法除氨废气排放达标情况。给出废气排放的控制措施。

考题 图5-1 掺杂工序和化学镀工序流程图   生产过程中产生的清洗废水、蚀刻废水、尾气洗涤塔废水、化学镀废水经预处理后进最终中和池,最终中和池出水排入园区污水处理厂。废水预处理后的情况见表5-1。   园区污水处理厂处理能力为5.0×104t/d。目前实际处理能力为3.3×104t/d。接管水质要求为COD 350mg/L、NH3-N 25mg/L、TP 6mg/L,其他指标需达到《污水综合排放标准》(GB 8978—1996)表1及表4三级排放标准(氟化物20mg/L、Cu 2.0mg/L、As 0.5mg/L)。   氨水清洗工序产生的清洗废水中氨含量为0.02%,为降低废水中氨浓度,拟采取热交换吹脱法除氨,氨的吹脱效率为80%,吹脱出的氨经15m高排气筒排放(GB 14554—1993规定,15m高排气筒氨排放量限值为4.9 kg/h)。 表5-1 废水预处理情况一览表  根据上述资料,回答下列问题。 给出掺杂工序和化学镀工序废水、废气特征污染因子。 根据项目废水预处理情况,判别A厂废水能否纳入园区污水处理厂,说明理由。 列出掺杂工序、化学镀工序废水预处理产生的污泥处置要求。 评价本工程采用的热交换吹脱法除氨废气排放达标情况。给出废气排放的控制措施。

考题 树脂塔酸洗液废水最终要()A、去废水处理B、去一次盐水工序化盐C、直接排入地沟,送出厂区D、去蒸发片碱工序

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考题 单选题以下工序可能产生废渣的是()。A 脱脂B 表调C 磷化D 水洗

考题 填空题以煤为原料合成氨,其废水主要来自气化工序产生的()、脱硫工序中的脱硫废水和铜洗工序产生的()。

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考题 单选题以下工序不可能产生废水的是()。A 烘干B 表调C 磷化D 超滤

考题 单选题以下废水产生于涂装前处理的是()。A 钝化处理溶液B 电泳后冲洗水C 面漆施工时的漆雾废水D 排放的超滤液

考题 判断题硝化废水主要来自蒸馏工序。()A 对B 错