考题
晶体三极管工作于放大区的条件是()。
A、集电结和发射结都反偏B、集电结反偏、发射结正偏C、集电结和发射结都正偏D、集电结正偏、发射结反偏
考题
BJT处于截止状态的条件是()。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏
考题
BJT工作在放大区的工作条件是:()。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏
考题
三极管工作在放大区的条件是()。
A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结正偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结反偏
考题
三极管工作于放大状态的条件是（ ）。A.发射结正偏，集电结反偏
B.发射结正偏，集电结正偏
C.发射结反偏，集电结正偏
D.发射结反偏，集电结反偏
考题
三极管放大区的放大条件为（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏或零偏，集电结反偏C、发射结和集电结正偏D、发射结和集电结反偏
考题
晶体三极管用于放大时，应使其（）。A、収射结正偏、集电结反偏B、収射结正偏、集电结正偏C、収射结反偏、集电结正偏D、収射结反偏、集电结反偏
考题
晶体三极管工作在放大区的条件是（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结反偏C、发射结正偏，集电结正偏D、不确定正反偏
考题
三极管工作在截止模式时要求（）A、发射结正偏、集电结正偏B、发射结正偏、集电结反偏C、发射结反偏、集电结反偏D、发射结反偏、集电结正偏
考题
三极管工作在放大状态时，发射结和集电结的偏置应为（）。A、发射结零偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结正偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结反偏
考题
处于截止状态的三极管，其工作状态为（）。A、射结正偏，集电结反偏B、射结反偏，集电结反偏C、射结正偏，集电结正偏D、射结反偏，集电结正偏
考题
三极管饱和区的放大条件为（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏或零偏，集电结反偏C、发射结和集电结正偏D、发射结和集电结反偏
考题
晶体三极管放大区的特点是（）。A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结正偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结反偏
考题
NPN型三极管在共射极电路中，如果三极管工作在放大区，则应是（）。A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结正偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结反偏
考题
处于截止状态的三极管，其工作状态为（）。A、发射结正偏，集电结反偏；B、发射结反偏，集电结反偏；C、发射结正偏，集电结正偏；D、发射结反偏，集电结正偏。
考题
工作在放大区的NPN型三极管，其偏置条件是（）A、发射结反偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结正偏，集电结正偏
考题
三极管工作于放大状态的条件是（）A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏
考题
半导体三极管处在饱和状态时是（）A、发射结反偏集电结反偏B、发射结正偏集电结反偏C、发射结正偏集电结正偏D、发射结反偏集电结正偏
考题
三极管工作在饱和区，要求（）A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏
考题
晶体三极管用于放大时，应使其发射结、集电结处于（）A、发射结正偏、集电结反偏B、发射结正偏、集电结正偏C、发射结反偏、集电结正偏D、.发射结反偏、集电结反偏
考题
三极管工作在放大状态时，其偏置应为（）A、发射结零偏集电结反偏B、发射结正偏集电结反偏C、发射结正偏集电结正偏D、发射结反偏集电结反偏
考题
处于截止状态的三极管，其工作状态是（）。A、射结正偏，集电结反偏B、射结反偏，集电结反偏C、射结正偏，集电结正偏D、射结反偏，集电结正偏
考题
若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）A、发射结正偏、集电结正偏B、发射结反偏、集电结反偏C、发射结正偏、集电结反偏D、发射结反偏、集电结正偏
考题
单选题晶体三极管用于饱和时，应使其发射结、集电结处于（）A
发射结正偏、集电结反偏B
发射结正偏、集电结正偏C
发射结反偏、集电结正偏D
发射结反偏、集电结反偏
考题
单选题晶体三极管用于放大时，应使其发射结、集电结处于（）A
发射结正偏、集电结反偏B
发射结正偏、集电结正偏C
发射结反偏、集电结正偏D
.发射结反偏、集电结反偏
考题
单选题半导体三极管的放大条件是（）。A
发射结正偏，集电结反偏B
发射结正偏，集电结正偏C
发射结反偏，集电结正偏D
发射结反偏，集电结反偏
考题
单选题处于截止状态的三极管，其工作状态为（）。A
射结正偏，集电结反偏B
射结反偏，集电结反偏C
射结反偏，集电结正偏D
射结正偏，集电结正偏