考题
热电偶是基于( )的原理测量温度的。
A.热电效应B.电阻应变效应C.压阻效应D.霍尔效应
考题
在霍尔材料的垂直方向上施加一稳定磁场B，相对两侧施加控制电流I，另外两端产生电势差，这种现象称为：A、压电效应B、压阻效应C、霍尔效应D、多普勒效应
考题
固体材料受力变形后，其电阻率发生变化，这种效应称为：A、压电效应B、压阻效应C、霍尔效应D、多普勒效应
考题
某种晶体在某一方向上受压或受拉变形时，在其相对的面上会产生异性电荷。外力消失后，电荷也消失。这种现象称为：A、压电效应B、压阻效应C、霍尔效应D、多普勒效应
考题
压阻式压力传感器是利用（）的原理（半导体材料受压时电阻车发生变化）直接将压力转换为电信号A、压阻效应B、光电效应C、电磁感应D、霍尔效应
考题
霍尔传感器是根据（）制作的一种磁场传感器。A、光电效应B、霍尔效应C、化学效应D、生物效应
考题
金属在受到外力作用时，会产生相应的应变，其电阻也将随之发生变化，这种物理现象称为（）A、霍尔效应B、光电效应C、应变效应D、压电效应
考题
半导体应变片的工作原理是基于（）。A、压阻效应B、热电效应C、压电效应D、压磁效应
考题
光敏电阻传感器的工作原理是基于（）A、内光电效应B、外光电效应C、压阻效应D、应变效应
考题
压电式传感器的工作原理是（）A、应变效应B、压阻效应C、压电效应D、涡流效应
考题
压磁式传感器的原理是利用铁磁材料的（）。A、压电效应B、压磁效应C、光电效应D、霍尔效应
考题
金属导体或半导体在外力作用下产生机械变形而引起导体或半导体的电阻值发生变化的物理现象称为（）A、光电效应B、压电效应C、压阻效应D、应变效应
考题
压阻压力计测压依据的原理是（）。A、温度电阻效应B、压阻效应C、应变效应
考题
压电式传感器的转换原理是利用晶体材料的（）A、电阻应变效应B、压电效应C、电磁感应D、霍尔效应
考题
金属导线的电阻随其变形而发生改变的一种物理现象，称为（）。A、应变效应B、压阻效应C、压电效应D、热电效应
考题
磁阻传感器是基于（）原理工作的。A、磁阻效应B、霍尔效应C、压阻效应D、电磁效应
考题
压阻式传感器是利用半导体材料压阻效应制作的电阻式应变传感器，其性能优于金属应变效应制作的电阻式应变传感器，主要用于压力测量。
考题
压电式压力传感器是应用压电元件的（）工作的.A、压电效应B、霍尔效应C、压阻效应D、热电效应
考题
什么是应变效应？什么是压阻效应？什么是横向效应？
考题
电感式传感器的工作原理为（）。A、热电效应B、电磁感应C、应变效应D、压阻效应
考题
半导体材料的电阻率随作用应力而变化的效应称为（）。A、压电效应B、霍尔效应C、热电效应D、压阻效应
考题
半导体应变片的工作原理是基于半导体材料的（）。A、压阻效应；B、应变效应；C、霍耳效应；D、光电效应
考题
应变式压力传感器工作是基于（）。A、压电效应B、压阻效应C、应变效应D、霍尔效应
考题
单选题通电导体放在均匀磁场中，在垂直于电场和磁场的方向产生横向电场，这种现象称之为（）。A
压电效应B
压阻效应C
霍尔效应D
多普勒效应
考题
单选题应变式压力传感器工作是基于（）。A
压电效应B
压阻效应C
应变效应D
霍尔效应
考题
单选题压阻压力计测压依据的原理是（）。A
温度电阻效应B
压阻效应C
应变效应
考题
单选题金属在受到外力作用时，会产生相应的应变，其电阻也将随之发生变化，这种物理现象称为（）A
霍尔效应B
光电效应C
应变效应D
压电效应
