考题
下列应用中属于非线性高频电路的是()。A.宽频带放大器与高频功率放大器B.小信号谐振放大器C.高频功率放大器D.宽频带放大器
考题
高频功率放大器按工作状态分可以分为()。
A、甲类(A类)流通角为360°B、乙类(B类)流通角为180°C、丙类(C类)流通角小于180°D、丁类(D类)开关状态
考题
高频谐振功率放大器原工作于临界状态,如果其它条件不变,EC增大时,放大器的工作状态为()。
A、过压状态B、欠压状态C、甲类状态D、临界状态
考题
电子点火实际上就是利用半导体器件作为开关，( )或( )初级电流，因而又称为半导体点火或晶体管点火。
考题
晶体管功率放大器通常是（）A、共基极放大电路B、共发射极放大电路C、共集电极放大电路D、甲类功放电路
考题
作为集电极调幅用的高频谐振功率放大器，其工作状态应选用（）A、甲类B、临界C、过压D、欠压
考题
高频功率放大器失谐时，输出功率将减小，晶体管功耗将增大，效率将降低。
考题
高频功率放大器应工作在（）状态。A、甲类B、乙类C、甲乙类D、丙类
考题
根据晶体管静态工作点在输出特性曲线上的位置，功率放大器可以分为（）。A、甲类功率放大器B、丙类功率放大器C、乙类功率放大器D、甲乙类功率放大器
考题
下列应用中属于非线性高频电路的是（）。A、宽带放大器B、小信号谐振放大器C、高频功率放大器D、宽带放大器和高频功率放大器
考题
超高频调谐器要求高输入阻抗，低噪声系数以及大动态工作范围，为此，常选用（）担当高频放大器A、高频晶体管B、MOS场效应管C、低噪声晶体管D、大功率晶体管
考题
下列电路中属于非线性高频电路的是（）A、宽频带放大器B、小信号放大器C、高频功率放大器D、宽频带放大器和高频功率放大器
考题
目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、以及两者混合管和（）等等。A、晶闸管B、可控硅C、功率集成器件D、晶体管
考题
放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是（）。A、耦合电容和旁路电容的影响B、晶体管极间电容和分布电容的影响C、晶体管的非线性特性D、放大电路的静态工作点设置不合适
考题
在放大电路中，晶体管工作在甲类状态导通角θ=（）
考题
在高频系统中同一级的晶体管和它的元器件应（）。A、尽量远离B、用导线相连C、远离散热器D、尽量靠近
考题
功率放大器的工作状态有甲类放大状态、（）、（）。
考题
功率放大器始终工作在放大状态的是（）。A、丙类B、乙类C、甲类D、甲乙类
考题
功率放大器按照功率放大器管的工作状态不同可分为甲类功率放大器、乙类功率放大器和（）。
考题
推挽功率放大器工作在（）状态。A、甲类B、甲乙类C、乙类
考题
单选题高频谐振功率放大器的负载谐振电阻Rp由小变大，则放大器工作状态的变化趋势（其他条件不变）为（）。A
甲类→乙类→丙类B
欠压→临界→过压C
过压→临界→欠压D
丙类→乙类→甲类
考题
多选题高频功率放大器比甲类低频功放效率高而波形不失真又能作放大器的原因是（）A工作在丙类；B工作在甲类；C负载是谐振回路；D负载电阻；E工作在乙类
考题
单选题高频功率放大器主要工作在（）。A
甲类B
乙类C
甲乙类D
丙类
考题
填空题功率放大器按照功率放大器管的工作状态不同可分为甲类功率放大器、乙类功率放大器和（）。
考题
多选题根据晶体管静态工作点在输出特性曲线上的位置，功率放大器可以分为（）。A甲类功率放大器B丙类功率放大器C乙类功率放大器D甲乙类功率放大器
考题
单选题有源矩阵液晶显示器件（AM-LCD）是在每一个像素上设计一个非线性的有源器件TFT，使每个像素可以被独立驱动，克服交叉效应，可以提高液晶的分辨率和实现多灰度级显示。这个TFT就是（）A
结型晶体管；B
栅型晶体管；C
薄膜晶体管；D
薄膜二极管。
