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对于集成电路型、微机型保护,为增强其抗干扰能力应采取的方法是()

  • A、交流电源来线必须经抗干扰处理,直流电源来线可不经抗干扰处理
  • B、直流电源来线必须经抗干绕处理,交流电源来线可不经抗干扰处理
  • C、交流及直流电源来线均必须经抗干扰处理

参考答案

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考题 对于集成电路型保护及微机型保护而言,下列说法正确的是()。 A.弱信号线不得和强干扰(如中间继电器线圈回路)的导线相邻近B.因保护中已采取了抗干扰措施,弱信号线可以和强干扰(如中间继电器线圈回路)的导线相邻近C.在弱信号线回路并接抗干扰电容后,弱信号线可以和强干扰(如中间继电器线圈回路)的导线相邻近

考题 对于集成电流型、微机型保护,为增强其抗干扰能力应采取的方式是()。 A.交流电源线必须经过抗干扰处理,直流电源线可以不用B.直流电源线必须经过抗干扰处理,交流电源线可以不用C.交、直流电源线均必须经过抗干扰处理D.交、直流电源线均可不需要经过抗干扰处理

考题 我国继电保护技术发展先后经历了五个阶段,其发展顺序依次是()。A.机电型、晶体管型、整流型、集成电路型、微机型;B.机电型、整流型、集成电路型、晶体管型、微机型;C.机电型、整流型、晶体管型、集成电路型、微机型。

考题 Je2A3304 对于微机型保护,为增强其抗干扰能力应采取的方法( )(A)交流电源来线必须经抗干扰处理,直流电源来线可不经抗干扰处理;(B)直流电源来线必须经抗干扰处理,交流电源来线可不经抗干扰处理(c)交流及直流电源来线均必须经抗干扰处理;(D)交流及直流电源来线均可不经抗干扰处理;

考题 我国继电保护技术发展过了五个阶段,其发展顺序是( )A.机电型、晶体管型、整流型、集成电路型、微机型 B.机电型、整流型、集成电路型、晶体管型、微机型 C.机电型、整流型、晶体管型、集成电路型、微机型

考题 为提高抗干扰能力,微机型保护的电流引入线,应采用屏蔽电缆,屏蔽层和备用芯应在开关场和控制室同时接地。()

考题 对于集成电路型、微机型保护,为增强其抗干扰能力应采取的方法是()。A、交流电源来线必须经抗干扰处理,直流电源来线可不经抗干扰处理B、直流电源来线必须经抗干扰处理,交流电源来线可不经抗干扰处理C、交流及直流电源来线均必须经抗干扰处理D、直流电源来线可不经抗干扰处理

考题 试述集成电路型保护或微机型保护的交流及直流电源来线的抗干扰措施。

考题 外部引入至集成电路型或微机型保护装置的空触点,进入保护后应经()。

考题 微机保护装置增强抗干扰能力应采取的方法是()。A、交流来线经抗干扰处理,直流不经抗干扰处理B、交流来线可不经抗干扰处理,直流经抗干扰处理C、交流、直流电源来线必须经抗干扰处理

考题 CMOS数字集成电路与TTL数字集成电路相比突出的优点是()A、微功耗B、高速度C、高抗干扰能力D、电源范围宽

考题 对于集成电路型保护及微机型保护而言,()。A、弱信号线不得和强干扰(如中间继电器线圈回路)的导线相邻近B、因保护中已采取了抗干扰措施,弱信号线可以和强干扰(如中间继电器线圈回路)的导线相邻近C、在弱信号线回路并接抗干扰电容后,弱信号线可以和强干扰(如中间继电器线圈回路)的导线相邻近D、以上均不正确

考题 继电保护按发展阶段分类有()A、电磁式、晶体管式、集成电路型、微机型、现代化网络型B、电磁式、集成电路型、晶体管式、微机型、现代化网络型C、磁电式、集成电路型、晶体管式、微机型、现代化网络型D、电磁式、磁电式、晶体管式、集成电路型、微机型

考题 对于集成电路型、微机型保护,为增强其抗干扰能力应采取的方法是:()必须经抗干扰处理。A、交流电流、交流电压回路B、直流电源入口处C、交流电流、交流电压回路和直流电源入口处D、交流电流、交流电压回路和直流电源出口处

考题 对于微机保护,为增强其抗干扰能力应采取的方法是:()必须经抗干扰处理。A、交流电流、交流电压回路B、直流电源入口处C、电流、交流电压回路和直流电源入口处D、电流、交流电压回路和直流电源出口处

考题 对于集成电路型、微机保护,为增强其抗干扰能力应采取的方法是:()必须经抗干扰处理。A、交流电流、交流电压回路B、直流电源入口处C、电流、交流电压回路和直流电源入口处D、电流、交流电压回路和直流电源出口处

考题 对于集成电路型保护及微机型保护而言:A、弱信号线不得和强干扰(如中间继电器线圈回路)的导线相邻近B、因保护中已采取了抗干扰措施,弱信号线可以和强干扰的导线相邻近C、在弱信号线回路并接抗干扰电容后,弱信号线可以和强干扰的导线相邻近

考题 对集成电路型及微机型保护的现场测试应注意些什么?

考题 对于微机型保护,为增强其抗干扰能力应采取的方法是()。A、交流电源来线必须经抗干扰处理,直流电源来线可不经抗干扰处理B、直流电源来线必须经抗干扰处理,交流电源来线可不经抗干扰处理C、交流及直流电源来线均必须经抗干扰处理D、交流及直流电源来线均可不经抗干扰处理

考题 保护装置本体抗干扰要求正确的有()。A、保护装置的箱体,必须经试验确证可靠接地B、所有隔离变压器(电压、电流、直流逆变电源、导引线保护等)的一二次线圈间必须有良好的屏蔽层,屏蔽层应在保护屏可靠接地C、外部引入至集成电路型或微机型保护装置的空接点,进入保护后应经光电隔离D、半导体型、集成电路型、微机型保护装置只能以空接点或光耦输出

考题 我国继电保护技术发展过了五个阶段,其发展顺序是()A、机电型;晶体管型;整流型;集成电路型;微机型B、机电型;整流型;集成电路型;晶体管型;微机型C、机电型;整流型;晶体管型;集成电路型;微机型

考题 微机型保护与集成电路型保护相比,自检功能更强,理论上可靠性更高。

考题 为提高纵联保护通道的抗干扰能力,应采取哪些措施?

考题 晶体管型、集成电路型、微机型保护装置只能以空接点或光耦输出。为提高抗干扰能力,是否允许用电缆芯线两端接地的方式替代电缆屏蔽层的两端接地?为什么?

考题 集成电路型保护或微机型保护的交流及直流电源来线,可以不经过抗干扰电容,然后才进入保护屏内。

考题 单选题微机保护装置增强抗干扰能力应采取的方法是()。A 交流来线经抗干扰处理,直流不经抗干扰处理B 交流来线可不经抗干扰处理,直流经抗干扰处理C 交流、直流电源来线必须经抗干扰处理

考题 多选题CMOS数字集成电路与TTL数字集成电路相比突出的优点是()。A微功耗B高速度C高抗干扰能力D电源范围宽