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测量10KV油浸变压器tgδ值时,非被试绕组应该()。

  • A、接入测量回路
  • B、短接
  • C、开路
  • D、短接后接地或屏蔽

参考答案

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考题 在测量变压器绕组的绝缘电阻和吸收比时,非被试绕组应().A、短路接地;B、对地绝缘;C、开路。

考题 用末端屏蔽法测量串级式电压互感器的tg∮具体接法是:高压绕组A端加压,X端和底座接地;二次测量绕线和辅助绕组均短接后与电桥CX引线相连;电桥按正接线方式工作。

考题 进行干式变压器绕组绝缘电阻测试时,将被试绕组三相短接,非被试绕组三相短接接地,铁芯和紧固件接地;将绝缘电阻表E端子接被试绕组,L端子接地。

考题 对多次级绕组的电流互感器,只用一个二次回路时,其余的次级绕组()。A、必须町靠短接并接地B、必须可靠短接但不用接地C、不用接地但必须短接D、不用短接也不用接地

考题 测量电缆线路零序阻抗,线路三相应()A、首端短接、末端开路B、首端开路、末端短接接地C、首端开路、末端开路D、首端短接、末端短接接地

考题 对于多绕组互感器只用一个二次回路时,其余的次绕组应()。A、开路B、短路C、可靠短接并接地D、相接地

考题 在电流测量回路中,若()转换开关,当开关转换时,将会造成流互二次开路A、串接B、并接C、短接

考题 对加压侧绕组为D接线的三相变压器测量短路阻抗,用单相法测试时,应做好相应的()。A、短接B、开路C、接地D、短路并接地

考题 有绕组的被试品进行外施交流耐压试验时,应将被试绕组自身的所有端子(),非被试绕组亦应()并与外壳连接后接地。A、短接;短接B、悬空;悬空C、悬空;短接D、短接;悬空

考题 测量三绕组变压器短路阻抗时,非被测绕组()。A、短路B、接地C、开路D、短路接地

考题 用末端屏蔽法测量串级式电压互感器tgδ的具体接法是:高压绕组A端加压,X端和底座接地;二次测量绕组和辅助绕组均短接后与电桥CX引线相连;电桥按正接线方式工作

考题 变压器绕组绝缘的tgδ时,非被试绕组应()。A、对地绝缘B、短接C、开路D、短接后接地或屏蔽

考题 测量35KV变压器绕组绝缘电阻时,非被试绕组应()。A、对地绝缘B、短接C、开路D、短接后接地或屏蔽

考题 QJ35型变压比电桥测量单相变压器时、A,a;B,b端子正常接线后,C及c端子应()。A、短接B、开路C、接地D、接零

考题 测量装在三相变压器上的任一相电容型套管的tgδ和C时,其所属绕组的三相线端与中性点(有中性点引出者)必须短接一起加压,其他非被测绕组则短接接地,否则会造成较大的误差。

考题 测量变压器绕组绝缘的tgδ时,非被试绕组应()。A、对地绝缘;B、短接;C、开路;D、短接后接地或屏蔽。

考题 测量变压器绕组绝缘的tgδ时,非被试绕组应()。

考题 用末端屏屏蔽法测量串级式电压互感器的tgδ的具体方法是:高压绕组A端加压,X端和底座接地;二次测量绕组和辅助绕组头尾均短接后与电桥Cx引线相连线;电桥按正接线方式工作。

考题 测量变压器绕组绝缘电阻时,非被试绕组应()。A、对地绝缘B、短接C、开路D、短接后接地或屏蔽

考题 测量变压器绕组直流电阻时,非被试绕组应()。A、接入测量回路B、短接C、开路D、短接后接地或屏蔽

考题 测量分级绝缘电压互感器一次侧绝缘电阻时必须将一次绕组尾口“X”端()。A、接地B、不接地,且不与首端“A”短接C、不接地,且与首端“A”短接D、接地,且与首端“A”短接

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考题 在电流测量回路中,若()转换开关,当开关转换时,将会造成流互二次开路。A、串接B、并接C、短接D、缠绕接

考题 判断题用末端屏蔽法测量串级式电压互感器的tg∮具体接法是:高压绕组A端加压,X端和底座接地;二次测量绕线和辅助绕组均短接后与电桥CX引线相连;电桥按正接线方式工作。A 对B 错

考题 判断题测量装在三相变压器的任一相电容型套管的tg∮和C时,其所属绕组的三相线端与中性点(有中性点引出者)必须短接一起加压,其他非被测绕组则短接接地,否则会造成较大的误差。A 对B 错

考题 单选题测量变压器绕组绝缘的tgδ时,非被试绕组应()A 对地绝缘B 短接C 开路D 短接后接地或屏蔽