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单选题
多丝正比电离室探测器是（）
A

直接探测器

B

间接探测器

C

模拟探测器

D

平板探测器

E

动态探测器

参考答案

参考解析
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考题 多丝正比电离室探测器是A、直接探测器B、间接探测器C、模拟探测器D、平板探测器E、动态探测器
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考题 DR的种类中不包括A、直接型B、间接型C、多丝正比电离室型D、CCD型E、光激励发光型
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考题 多丝正比电离室探测器数字X线成像技术的主要优点,错误的是() A、采集效率高B、数字化量化深度高C、时间分辨率高D、被检者X线辐射剂量低E、背景噪声低
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考题 常规自动曝光摄影用的探测器为A．硒晶硅B．电离室式C．光电计式D．多丝正比室E．闪烁晶体
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考题 属于DR成像间接转换方式的部件是A．增感屏B．非晶硒平板探测器C．碘化铯+非晶硅探测器D．半导体狭缝线阵探测器E．多丝正比电离室
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考题 属于DR成像直接转换方式的部件是A．闪烁体+CCD摄像机阵列B．非晶硒平板探测器C．碘化铯+非晶硅探测器D．半导体狭缝线阵探测器E．多丝正比电离室
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考题 多丝正比电离室探测器是A.间接探测器 B.直接探测器 C.动态探测器 D.平板探测器 E.模拟探测器
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考题 DR的种类中不包括A.直接型 B.间接型 C.多丝正比电离室型 D.CCD型 E.光激励发光型
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考题 近距离照射放射源强度校准最好使用（）A、指型电离室B、半导体探测器C、井行电离室D、闪烁计数器E、正比计数器
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考题 常用场所辐射监测仪中灵敏度最高的是（）A、电离室B、正比计数器C、GM计数器D、闪烁探测器E、半导体探测器
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考题 需通过光敏元件成像的探测器是（）A、空气电离室B、CCD探测器C、多丝正比电离室D、半导体狭缝扫描仪E、直接转换平板探测器
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考题 灵敏度最低的是（）A、电离室B、正比计数器C、闪烁探测器D、半导体探测器E、GM计数器
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考题 多丝正比电离室与数据采集系统组成的直接数字化的探测系统无需（）转换，采集效率高，其背景噪声为（），动态范围理论上高达（）。
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考题 属于DR成像间接转换方式的部件是（）A、增感屏B、非晶硒平板探测器C、碘化铯+非晶硅探测器D、半导体狭缝线阵探测器E、多丝正比电离室
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考题 密封放射检测源是否泄漏或被污染，通常使用的探测器是（）A、指型电离室B、半导体探测器C、中子探测器D、闪烁计数器E、正比计数器
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考题 密封放射源检测是否泄露或被污，通常使用的探测器是（）A、指形电离室B、半导体探测器C、中子探测器D、闪烁计数器E、正比计数器
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考题 以下哪一种探测器，不是利用射线在空气中电离效应原理（）A、电离室B、正比计数器C、盖革-弥勒记数管D、闪烁探测器
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考题 气体电离探测器包括（）三种。A、计数管、晶体管、电子管B、电离室、正比计数管、数码管C、计数管、电离室、数码管D、电离室、正比计数管、G-M计数管
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考题 应用碘化铯闪烁体和非晶硅管阵列技术制成的探测器是（）A、硒鼓探测器，B、IP成像转换器，C、直接转换平板探测器，D、间接转换平板探测器，E、多丝正比室检测器
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考题 单选题DR的种类中不包括（　　）。A CCD型B 直接型C 多丝正比电离室型D 间接型E 光激励发光型
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考题 单选题密封放射源检测是否泄露或被污，通常使用的探测器是（）A 指形电离室B 半导体探测器C 中子探测器D 闪烁计数器E 正比计数器
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考题 单选题多丝正比电离室探测器是（）A 直接探测器B 间接探测器C 模拟探测器D 平板探测器E 动态探测器
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考题 单选题属于DR成像直接转换方式的部件是（）A 闪烁体+CCD摄像机阵列B 非晶硒平板探测器C 碘化铯+非晶硅探测器D 半导体狭缝线阵探测器E 多丝正比电离室
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考题 单选题DR的种类中不包括（）A 直接型B 间接型C 多丝正比电离室型D CCD型E 光激励发光型
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考题 单选题目前最常用的DR系统为（　　）。A CsI＋CCD阵列B 非晶硅平板探测器C 非晶硒平板探测器D 多丝正比电离室E 计算机X线摄影
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考题 单选题属于DR成像间接转换方式的部件是（）A 增感屏B 非晶硒平板探测器C 多丝正比电离室D 碘化色+非晶硅探测器E 半导体狭缝线阵探测器
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