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关于抑制性突触后电位的产生过程,正确的是 ( )

A、突触前轴突末梢超极化

B、突触后膜对Ca2+、K+的通透性增大

C、突触后膜去极化

D、突触后膜电位负值增大,出现超极化

E、突触后膜对K+、Na+,尤其是K+的通透性增大


参考答案

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考题 请简要说明抑制性突触后电位是怎样产生的?

考题 产生抑制性突触后电位的主要离子基础是( )。

考题 产生抑制性突触后电位的主要离子流是( )

考题 A.K B.Na C.Ca D.Cl E.H可产生抑制性突触后电位的离子基础是

考题 关于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是( )。 A. B.突触后膜去极化 C.突触后膜出现超极化 D.突触后膜出现复极化 E.以上都不是

考题 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对( )的通透性增加所致。

考题 下列关于抑制性突触后电位的产生过程的描述,错误的是( )。A. B.突触前末梢去极化 C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合 D. E.突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动

考题 关于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是()A.突触后膜对Ca2+,K+通透性增大B.突触后膜去极化C.突触后膜出现超极化D.突触后膜出现复极化

考题 关于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是A.突触后膜对钙离子和钾离子的通透性增大B.突触后膜去极化C.突触后膜出现超极化D.突触后膜出现复极化