关于抑制性突触后电位产生过程的描述,哪一项是错误的()。 A.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合B.突触后膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动C.突触后膜对K+、Cl-的通透性升高D.突触前轴突末梢去极化E.Ca2由膜外进入突触前膜内

题目内容（请给出正确答案）

关于抑制性突触后电位产生过程的描述,哪一项是错误的()。

A.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合

B.突触后膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动

C.突触后膜对K+、Cl-的通透性升高

D.突触前轴突末梢去极化

E.Ca2由膜外进入突触前膜内

参考答案

考题关于抑制性突触后电位(IPSP)产生过程的描述，哪一项是错误的A．突触前末梢去极化B．Ca2+由膜内进入突触前膜内C．突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合D．突触后膜对K+、Cl-的通透性升高E．突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动

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考题关于利多卡因的描述下列哪一项是错误的（）

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考题下列关于胰岛素急性耐受性产生原因的描述，哪一项是错误的A．并发感染B．乳酸性酸血症C．手术D．严重创伤E．情绪激动

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考题以下关于DXU的描述哪一项是错误的。() A.DXU能提供PCM传输接口。B.DXU能产生时钟同步信号。C.DXU能放大射频信号。D.DXU能完成时隙交换。

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考题关于抑制性突触后电位的产生过程的描述，哪一项是不正确的A.突触前末梢去极化 B.Ca由膜外进入突触前膜内 C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合 D.突触后膜对K、Cl或Cl的通透性升高 E.突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动

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考题下列关于抑制性突触后电位的产生过程的描述，错误的是( )。A. B.突触前末梢去极化 C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合 D. E.突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动

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考题关于SYN泛洪攻击,以下哪一项描述是错误的？A．未完成建立过程的TCP连接永久占用连接项B．TCP会话表中的连接项是有限的C．SYN泛洪攻击破坏攻击目标的可用性D．网络中本不存在的 IP地址发起TCP连接建立过程

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考题关于细胞凋亡的描述，下列哪一项是错误的A．细胞坏死B．细胞的程序性死亡C．普遍存在的生命现象D．基本的细胞学事件或过程

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考题 1、关于细胞凋亡的描述，下列哪一项是错误的A．细胞坏死B．细胞的程序性死亡C．普遍存在的生命现象D．基本的细胞学事件或过程

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