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关于再次免疫应答的特点下列哪项是错误的
A.诱导潜伏期短；
B.抗体维持时间长
C.抗体滴度高
D.优势抗体为IgG
E.优势抗体为IgM
B.抗体维持时间长
C.抗体滴度高
D.优势抗体为IgG
E.优势抗体为IgM
参考答案
参考解析
解析：
更多 “关于再次免疫应答的特点下列哪项是错误的A.诱导潜伏期短；B.抗体维持时间长C.抗体滴度高D.优势抗体为IgGE.优势抗体为IgM” 相关考题
考题
有关体液免疫的初次应答与再次应答的不同点的陈述，错误的是A、初次应答产生的抗体主要是IgM，再次应答的是IgGB、再次应答抗体亲和力高C、再次应答产生IgG的潜伏期长D、初次应答的抗原提呈细胞是巨噬细胞E、再次应答的抗原提呈细胞是记忆B淋巴细胞
考题
关于免疫应答的调节，下列哪项是错误的( )A、MHC分子表达与否直接决定免疫应答是否发生B、MHC分子表达的水平与免疫应答水平有关C、AMLR对维持免疫自身稳定有重要意义D、AICD参与免疫调节，清除活化和自身反应性T淋巴细胞E、抗原的内影像能刺激免疫应答的发生
考题
关于免疫记忆的叙述，下列哪一项是错误的A.体液免疫和细胞免疫均存在免疫记忆现象B.Bm是再次应答的主要APCC.免疫应答过程中可产生Tm和BmD.TI-A9和TD-A9均可引起回忆应答E.记忆性细胞是在免疫应答的分化阶段产生的
考题
有关体液免疫的初次应答与再次应答的不同点的陈述，错误的是A.初次应答产生的抗体主要是IgM，再次应答的是IgG
B.再次应答抗体亲和力高
C.再次应答产生IgG的潜伏期长
D.初次应答的抗原提呈细胞是巨噬细胞
E.再次应答的抗原提呈细胞是记忆B淋巴细胞
考题
关于免疫记忆的叙述，下列哪项是错误的（）A、免疫应答过程中可产生Bm、TmB、在免疫应答的分化阶段，小部分细胞分化为记忆细胞，大部分分化为效应细胞C、记忆细胞表达CD45RAD、记忆细胞表面分子表达有改变E、再次应答可引起比初次应答更强的抗体产生
考题
关于免疫记忆的叙述，下列哪一项是错误的（）A、体液免疫和细胞免疫均存在免疫记忆现象B、Bm是再次应答的主要APCC、免疫应答过程中可产生Tm和BmD、TI-Ag和TD-Ag均可引起回忆应答E、记忆性细胞是在免疫应答的分化阶段产生的
考题
关于抗原对免疫应答的调节作用，下列哪项是错误的（）。A、抗原的存在是免疫应答案发生前提B、抗原在体内耗尽，免疫应答即停止C、一定范围内，应答水平与抗原的量呈正相关D、抗原的质与免疫应答的类型无关E、抗原的量与免疫应答的发生与否有关
考题
关于免疫记忆，下列哪项是错误的？（）A、免疫应答过程中可产生Bm、TmB、免疫应答的分化阶段，小部分细胞分化为记忆细胞，大部分分化为效应细胞C、记忆细胞表达CD45RAD、记忆细胞表面分子表达有改变E、再次应答可引起比初次免疫更强的抗体产生
考题
关于免疫应答的调节，下列哪项是错误的（）。A、免疫应答不受遗传基因的制约B、免疫调节的机制决定了免疫应答发生及反应的强弱C、免疫应答的调节可分为基因、细胞和分子3种水平的调节D、神经系统和内分泌系统参与免疫应答的调节E、免疫调节机制失控或异常可导致免疫疾病的发生
考题
单选题关于抗原对免疫应答的调节作用，下列哪项是错误的（ ）。A
抗原的存在是免疫应答发生的前提B
抗原在体内耗尽，免疫应答即停止C
一定范围内，应答水平与抗原的量呈正相关D
抗原的质与免疫应答的类型无关E
抗原的量与免疫应答的发生与否有关
考题
单选题关于免疫应答的调节，下列哪项是错误的（ ）。A
免疫应答的调节涉及分子、细胞、整体及群体等不同水平B
免疫调节的机制决定了免疫应答发生及反应的强弱C
免疫应答不受遗传基因的制约D
神经系统和内分泌系统参与免疫应答的调节E
免疫调节机制失控或异常可导致免疫疾病的发生
考题
单选题关于免疫记忆的叙述，下列哪项是错误的（）A
免疫应答过程中可产生Bm、TmB
在免疫应答的分化阶段，小部分细胞分化为记忆细胞，大部分分化为效应细胞C
记忆细胞表达CD45RAD
记忆细胞表面分子表达有改变E
再次应答可引起比初次应答更强的抗体产生
考题
单选题再次免疫应答的特点下列哪项是正确的（）A
诱导潜伏期短B
抗体维持时间长C
抗体滴度高D
优势抗体为IgGE
以上都是
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