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隔离开关调整完成后,需要全面检查一次隔离开关的各项参数:触头的插入深度,备用行程,(),触头与触指的接触情况。

  • A、三极合闸同期
  • B、绝缘电阻
  • C、回路电阻
  • D、耐压

参考答案

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考题 隔离开关调整完成后,需要全面检查一次隔离开关的各项参数:触头的插入深度,备用行程,(),触头与触指的接触情况。A.三极合闸同期B.绝缘电阻C.回路电阻D.耐压

考题 隔离开关触头过热的原因是( )触头压紧弹簧过紧;触头接触面氧化,接触电阻增大;触头电位过高;触头电位差过低

考题 隔离开关合闸操作后应检查三相触头是否合闸到位,接触应良好; 水平旋转式隔离开关检查两个触头是否在( )轴线上。相同$; $同一$; $并列$; $上下

考题 隔离开关及断路器当出现哪些缺陷采取的处理建议是“测量接触电阻”()。(A)隔离开关触头弹簧压接不良 (B)断路器中间触头压指压接不良 (C)隔离开关接头接触不良或断股 (D)断路器动静触头压指压接不良

考题 隔离开关及断路器当出现哪些缺陷采取的处理建议是“测量接触电阻”()。隔离开关触头弹簧压接不良$;$断路器中间触头压指压接不良$;$隔离开关接头接触不良或断股$;$断路器动静触头压指压接不良

考题 隔离开关触头过热的原因是触头接触面氧化,接触电阻增大。

考题 隔离开关触头过热的原因是()A、触头压紧弹簧过紧B、触头接触面氧化、接触电阻增大C、触头电位过高D、触头电位差过低

考题 隔离开关开箱检查,检查隔离开关本体有无机械损伤,导电杆及触头有无(),主闸刀、指形触头与柱形触头是否清洁,镀银层是否用凡士林保护,触指压力是否均匀,接触情况是否完好。A、开裂B、变形C、磨损

考题 隔离开关运行中发热的原因有()。A、隔离开关触头接触不良;B、隔离开关触头氧化;C、隔离开关触头制造有缺陷;D、隔离开关负荷大。

考题 瓷柱式隔离开关导电回路检查时,应在触头及各接触面涂抹凡士林,触头、触指涂抹导电膏。()

考题 对瓷柱式隔离开关,每隔()年应对主刀合闸时三相不同期、主刀合闸后触头插入触指的深度、接地刀闸插入深度及三相不同期进行测量。   A、 6B、 12C、 18

考题 GN19-12CST型隔离开关的分闸状态是()。A、上触头合闸-下触头分闸B、上触头分闸-下触头分闸C、上触头分闸-下触头合闸D、上触头合闸-下触头合闸

考题 GW7型隔离开关的旁击以触头和触指不能有效进行合闸,出现碰撞现象,强行合闸时可能导致触头、触指变形、支柱绝缘子断裂等问题。

考题 开关柜内进行隔离开关倒闸操作时应严格监视隔离开关的动作情况,如发现卡涩、动触头不能插入静触头、合闸不到位、手车开关触指后挡板因故无法下拉遮挡带电静触头等现象时,应停止操作,待缺陷消除后继续进行,严禁强行操作。

考题 隔离开关合闸后,用0.05mm厚的塞尺检查触头接触情况,对于线型接触的塞尺插入深度不超过4-6mm。

考题 要求隔离开关的常开辅助触头在开关合闸行程50%时闭合。

考题 GW4、GW5型隔离开关导电回路故障,触指与触头接触不良,引起()。A、短路;B、触头过热;C、开路;D、无影响。

考题 GW4型隔离开关检修过程中,左右触头在合闸位置时,用()的塞尺检查触头与触指接触情况,以塞不进为合格。A、0.05mm;B、0.1mm;C、0.5mm;D、1mm。

考题 隔离开关导电回路触指、触头烧损严重,接触不良引起触头过热。

考题 隔离开关触头的接触压力越大则接触电阻就越小。

考题 超行程是指()。A、分闸操作中,开关触头接触后动触头继续运动的距离;B、合闸操作中,开关触头接触后动触头继续运动的距离;C、分闸操作中,开关触头断开后动触头继续运动的距离;D、合闸操作中,开关触头断开后动触头继续运动的距离。

考题 GW4—126型隔离开关合闸时触头臂和触指臂不成直线和接触深度不合格,都会造成触头过热。

考题 GW7-220型隔离开关调试项目()。A、隔离开关主刀合闸后触头插入深度;B、动、静触头相对高度差;C、检查机械联锁;D、隔离开关三相合闸同期性。

考题 符合隔离开关三相联调作业的要求的是()。A、插入深度调整:主刀合闸后,触指与触头之间剩余间隙为3~8mm;B、126kV三相合闸同期:≤20mm;C、刀闸合位检查:左右导电臂要成一条直线,触头接触上下误差,对称上下差≤5mm;D、检查止钉间隙:调整定位螺钉与挡板间间隙1-3mm。

考题 GW4-126型隔离开关调整时,主刀合闸后,触指与触头之间剩余间隙应为3~8mm。

考题 以下是GW7型隔离开关导电回路故障的是()。A、触指与触头接触不良,引起触头过热;B、触指、触头烧损严重,接触不良引起过热;C、导电臂与动触头接触不良引起过热;D、触指与静触座接触不良引起过热。

考题 手车式高压开关柜一次隔离触头的接触电阻,不应大于()。A、100μΩB、1000μΩC、1ΩD、4Ω