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DDPU模块中文名称为(),插损为()DB。


参考答案

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考题 EPONOLT光模块类型/ODN等级为1000BASE-PX20,ONU光模块类型/ODN等级为1000BASE-PX20+时,其上/下行方向最大允许插损为() A.24/23.5dBB.25/27dBC.27/24.5dBD.28/28dB

考题 EPON光模块类型/ODN等级为1000BASE-PX20+时,其上下行方向最大允许插损为() A.24/23.5dBB.25/27dBC.27/24.5dBD.28/28dB

考题 DDPU内有()路双工器,双工器插损为()dB。A.1B.2C.1.2D.2.2

考题 TDD和FDDRRU设备不同点下列说法正确的()。 A.FDD使用双工器1dB插损B.FDDT/R转换器2-2.5dB插损C.TDDT/R转换器2-2.5dB插损D.TDD使用双工器1dB插损

考题 器件知识,四功分的插损为()dB;6dB耦合器的插损为()dB、耦合度为()dB。常用的光器件有哪些:光衰减器、()、光法兰头、()、激光器等。

考题 分光器要求插损值满足以下要求()。A、1:2均分:插损值典型值3.4dBB、1:8均分:插损值典型值10.7dBC、1:16均分:插损值典型值14.8dBD、1:32均分:插损值典型值17.8dB

考题 6dB耦合器的插损为1.2dB.耦合度为6dB。

考题 现在有两束同波长的光,光功率为0db,请问经过耦合器耦合后,如果不考虑插损光功率会变成()db,如果耦合器插损是2db,光功率会变成()db。A、1;-2B、0;2C、3;-1D、3;1

考题 OMU/ODUMON口光功率预置插损为()。A、8dBB、16dBC、23dBD、25dB

考题 1:16均分分光器的插损值为()。A、3.4DBB、10.7DBC、17.8DBD、14.8DB

考题 耦合器的损耗下列哪个是正确的()A、耦合度为7的插损为1.3dbB、耦合度为5的插损为5dbC、耦合度为7的插损为0.8dbD、耦合度为6的插损为1.6db

考题 BTS3012机柜配置成S333时,最少需要()个DTRU模块和()DDPU模块。

考题 设备板件存在插损,ANC(有电桥)的插损是()。A、1DBB、3.3DBC、4.4DBD、1.1DB

考题 DDPU模块内部有2路双工器,双工器的差损为()dB。A、1.2B、0.6C、2D、3

考题 DDPU为必配模块,通常情况下DDPU满配置是3块,最小配置是1块。若不配置DCOM,则DDPU最多可配()块。A、8B、7C、6D、5

考题 AWG型的OMU插损为()db。A、1B、2C、6D、15

考题 带有GFF的LAC单板的固有插损为()A、2dbB、3dbC、5.5dbD、6db

考题 VMUX配置在OTM站点,对各通道的光功率单独调整。调节精度为0.1dB,调节范围为()dB,固有插损13dB。A、±1B、±2C、±3D、±5

考题 OMU32模块耦合器型的插损比介质膜型的插损大。

考题 现在有两束同波长的光,光功率为0db,请问经过耦合器耦合后,如果不考虑插损光功率会变成()db,如果耦合器插损是2db,光功率会变成()dbA、1、-2B、0、2C、3、-1D、3、1

考题 关于BTS3012射频前端模块,以下说法不正确的是()。A、射频前端子系统DAFU由双密度双双工单元DDPU和双密度合路单元DCOM组成B、DDPU板和DCOM板都位于机柜的DAFU插框中,两者的槽位可以混插C、EDU的供电模式是+26V直流,DDPU的供电模式是-48V直流D、DDPU不具有天馈驻波告警检测功能

考题 假设二功分器的插损为0.1dB,其输入功率为10dBm,则输出功率为().

考题 EPON光模块类型/ODN等级为1000BASE-PX20+时,其上下行方向最大允许插损为()A、24/23.5dBB、25/27dBC、27/24.5dBD、28/28dB

考题 OMD板的插损为()db。

考题 现在有两束同波长的光,光功率为0db,请问经过耦合器耦合后,如果不考虑插损光功率会变成db,如果耦合器插损是2db,光功率会变成()db。A、1-2B、02C、3-1D、31

考题 单选题EPON光模块类型/ODN等级为1000BASE-PX20+时,其上下行方向最大允许插损为()A 24/23.5dBB 25/27dBC 27/24.5dBD 28/28dB

考题 单选题EPONOLT光模块类型/ODN等级为1000BASE-PX20,ONU光模块类型/ODN等级为1000BASE-PX20+时,其上/下行方向最大允许插损为()A 24/23.5dBB 25/27dBC 27/24.5dBD 28/28dB