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为了保证三极管的电流放大,一方面要满足内部条件即基区搀杂少厚度小,另一方面要满足外部条件即发射结正向偏置、集电结反向偏置。


参考答案

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考题 三极管有PNP型、NPN型两种,若工作在放大状态时:其条件是______。A.发射结正向偏置,集电结反向偏置B.发射结集电结都反向偏置C.发射结集电结都正向偏置D.视管子类型而定

考题 晶体管工作在放大状态的条件是( )。A.发射结反向偏置,集电结反向偏置B.发射结反向偏置,集电结正向偏置C.发射结正向偏置,集电结反向偏置D.发射结正向偏置,集电结正向偏置

考题 三极管处于截止状态时( )。 A.发射结正向偏置,集电结反向偏置B.发射结反向偏置,集电结反向偏置C.发射结正向偏置,集电结正向偏置D.发射结反向偏置,集电结正向偏置

考题 晶体管三极管放大条件是( )。 A.发射结要正向偏置B.发射结要正向偏置,集电结要反向偏置C.集电结要反向偏置D.发射结要反向偏置,集电结要正向偏置

考题 晶体三极管工作在饱和区,发射结、集电结的偏置应()。 A、发射结正向偏置,集电结反向偏置B、发射结正向偏置,集电结正向偏置C、发射结反向偏置,集电结反向偏置D、发射结反向偏置,集电结正向偏置

考题 晶体三极管正常工作的基本条件是()。 A、发射结加反向偏置、集电结正反向偏置B、发射结加反向偏置、集电结加反向偏置C、发射结加正向偏置、集电结加正向偏置D、发射结加正向偏置、集电结加反向偏置

考题 三极管处于放大状态时( )。A.发射结反向偏置,集电结正向偏置B.发射结正向偏置,集电结反向偏置C.发射结与集电结均正向偏置D.发射结与集电结均反向偏置

考题 为了保证三极管的电流放大,一方面要满足内部条件即基区掺杂少厚度小,另一方面要满足外部条件即发射结正向偏置、()。 A.集电结正向偏置B.集电极反向偏置C.集基极正向偏置D.集电结反向偏置

考题 为了保证晶体管的电流放大,一方面要满足内部条件即基区()厚度小,另一方面要满足外部条件即发射结正向偏置、集电结反向偏置。 A.掺杂少B.鼠掺杂多C.纯净D.不掺杂

考题 为使三极管工作在放大状态,必须()。 A.发射结和集电结加正向偏置B.发射结加正向偏置,集电结加反向偏置C.发射结加反向偏置,集电结加正向偏置

考题 三极管实现放大作用的外部条件是发射结正向偏置,集电结()偏置。A正向B反向C不

考题 为了保证晶体管的电流放大,一方面要满足内部条件即基区()厚度小,另一方面要满足外部条件即发射结正向偏置、集电结反向偏置。A、掺杂少B、鼠掺杂多C、纯净D、不掺杂

考题 体三极管用来放大时,应使 ()A、发射结处于反向偏置,集电结处于正向偏置。B、发射结处于正向偏置,集电结处于反向偏置。C、发射结处于正向偏置,集电结处于正向偏置。D、发射结处于反向偏置,集电结处于反向偏置。

考题 晶体管工作在饱和区的条件是()。A、发射结正向偏置,集电结反向偏置B、发射结反向偏置,集电结正向偏置C、发射结正向偏置,集电结正向偏置D、发射结反向偏置,集电结反向偏置

考题 为了保证三极管的电流放大.一方面要满足内部条件即基区掺杂少厚度小,另一方面要满足外部条件即发射结正向偏置、()。A、集电结正向偏置B、集电极反向偏置C、集基极正向偏置D、集电结反向偏置

考题 三极管起放大作用的条件是发射结正向偏置,集电结反向偏置。

考题 三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置,集电结反向偏置;三极管的结温升高时穿透电流ICEO将()。

考题 三极管的放大作用一方面要满足内部条件,即要求()杂质浓度要远大于()杂质浓度,同时基区厚度要很();另一方面要满足外部条件,即发射结要()偏置、集电结要()偏置。

考题 三极管处于放大状态时()。A、发射结反向偏置,集电结正向偏置B、发射结正向偏置,集电结反向偏置C、发射结与集电结均正向偏置D、发射结与集电结均反向偏置

考题 当晶体三极管作为放大元件,其内部有()关系成立。A、发射结处于反向偏置B、基电结处于正向偏置C、发射结处于正向偏置D、集电结处于正向偏置E、集电结处于反向偏置

考题 要使晶体三极管对电流起放大作用,则必须使()。A、发射结正向偏置,而集电结反向偏置B、发射结正向偏置,集电结也正向偏置C、发射结反向偏置,而集电结正向偏置D、发射结反向偏置,集电结也反向偏置

考题 晶体管三极管放大条件是()。A、发射结要正向偏置B、发射结要正向偏置,集电结要反向偏置C、集电结要反向偏置D、发射结要反向偏置,集电结要正向偏置

考题 放大电路正常工作时要满足()。A、发射结集电结都正向偏置B、发射结反向偏置,集电结正向偏置C、发射结集电结都反向偏置D、发射结正向偏置,集电结反向偏置

考题 单选题无论是PNP型还是NPN型三极管,工作在放大状态时其条件是()A 发射结正向偏置,集电结反向偏置B 发射结反向偏置,集电结正向偏置C 发射结正向偏置,集电结正向偏置D 发射结反向偏置,集电结反向偏置

考题 单选题晶体管工作在饱和区的条件是()。A 发射结正向偏置,集电结反向偏置B 发射结反向偏置,集电结正向偏置C 发射结正向偏置,集电结正向偏置D 发射结反向偏置,集电结反向偏置

考题 判断题为了保证三极管的电流放大,一方面要满足内部条件即基区搀杂少厚度小,另一方面要满足外部条件即发射结正向偏置、集电结反向偏置。A 对B 错

考题 单选题晶体三极管正常工作的基本条件是()A 发射结加反向偏置、集电结正反向偏置B 发射结加反向偏置、集电结加反向偏置C 发射结加正向偏置、集电结加正向偏置D 发射结加正向偏置、集电结加反向偏置