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在约为（）℃以上时，大部分SiO挥发到焦炭的气孔中，广泛的和碳接触并作用，还原成Si，Si与Fe反应形成FeSi。

  • A、1200
  • B、1450
  • C、1600
  • D、1700

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考题 已知一包钢水到LF炉取样，钢水中Mn0.25%、Si0.1%，目标钢水Mn0.38%，Si0.20%，已知钢水量为150t，求需要多少MnSi和FeSi?(MnSi中Si16.3%，Mn66.2%，FeSi中Si75.12%)Si、Mn收得率均为95%。
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考题 在FeSi中，Si45的密度比Si75密度大。此题为判断题(对，错)。
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考题 对拉低碳工艺，脱氧剂加入顺序正确的是( )。A.Fe-Si→Fe-Mn→AlB.Al→Fe-Si→Fe-MnC.Al→Fe-Mn→Fe-Si
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考题 转炉炼钢中，硅的直接氧化反应方程式是：2(FeO)+[Si]=2[Fe]+(SiO2)。此题为判断题(对，错)。
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考题 SiO2还原Si的开始温度为（）A、1200～1400℃B、1600～1700℃C、1800～1900℃D、1400～1600℃
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考题 生产75%FeSi以1000kg硅石为基础进行配料计算，已知条件：SiO2＝98%；焦炭C固＝84%、水分12%；球团矿TFe＝60%；Si的回收率92%；焦炭的烧损率10%；合金中含Fe量23%。
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考题 炼钢过程中，硅与吹入的氧直接氧化反应表达式为（）。A、［Si］＋2[0]=（SiO2）B、［Si］＋｛O2｝＝（SiO2）C、［Si］＋2（FeO）＝（SiO2）＋2［Fe］
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考题 铁水在1600℃时，其元素的氧化顺序为（）。A、Si、P、Mn、FeB、Si、Fe、P、MnC、Si、Mn、P、Fe
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考题 在FeSi中，Si45的密度比（）密度大。
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考题 在地壳中，按克拉克值由大到小的顺序排列的四种元素是（）。A、Fe－O－Si－AlB、O－Si－Fe－AlC、Si－O－Al－FeD、O－Si－Al－Fe
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考题 60Si2CrVA弹簧钢的屈服强度极限为（）MPa。A、1200B、1400C、1600D、1700
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考题 焦炭灰分中的碱金属氧化物和（）等都对焦炭的气化反应起催化作用。A、SiO2B、FeOC、Fe2O3D、CaO
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考题 炼钢中[Si]+2[O]＝(SiO2)是吸热反应。
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考题 在转炉吹炼前期20%时间里，（）元素即被大量氧化。A、Fe、Si、MnB、Fe、P、MnC、S、Si、MnD、Al、Si、Mn
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考题 在同一温度下各元素与氧结合能力的顺序是（）。A、Si、Al、Mn、P、FeB、Al、Mn、Si、Fe、PC、Al、Si、Mn、P、FeD、Al、Si、Fe、Mn、P
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考题 元素氧化物的顺序取决于元素与氧的结合能力，下面（）组氧化顺序是正确的A、Si；Mn；Al；Fe；PB、Al；Si；Mn；Fe；PC、Al；Si；Mn；P；FeD、Si；Al；P；Mn；Fe
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考题 铁水温度在1600℃时，其元素的氧化顺序（）。A、Si、P、Mn、FeB、Si、Fe、P、MnC、Si、Mn、P、Fe
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考题 生铁中的Si主要来自（）。A、炉渣中的SiO2B、矿石中的SiO2C、焦炭中的SiO2D、煤粉中的SiO2
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考题 渣中FeO和MnO在高温下以耦合反应的方式，将[Si]氧化成（SiO2）。
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考题 1500℃以上硅的还原顺序为SiO2→SiO→Si，到达风口时[Si]含量达到最大值。
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考题 生铁中的五大元素是指（）。A、Fe、FeO、S、C、SiB、C、Si、Mn、S、PC、SiO2、Fe、S、P、C
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考题 精炼处理钢水为80吨，所处理钢种为34Mn6。已知：钢水成分为Si：0.35%，精炼后按目标成分Si：0.40%，FeSi的加入量为100kg。计算FeSi的效率（FeSi中Si为75%）。
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考题 计算题：已知一包钢水到LF炉取样，钢水中Mn0.25%、Si0.1%，目标钢水Mn0.38%，Si0.20%，已知钢水量为150t，求需要多少MnSi和FeSi？（MnSi中Si16.3%，Mn66.2%，FeSi中Si75.12%）Si、Mn收得率均为95%。
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考题 下列金属由易到难的顺序是（）A、Fe  Mn  Si  AI  MgB、Mn  Fe  Si  AI  MgC、Fe  Mn  Mg  Si  AID、Fe  AI  Mn  Si  Mg
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考题 按原铝中主要杂质（）的多少，再将其分成若干等级。A、Fe、Si、CuB、Fe、Si、CaC、Ti、Ca、CuD、Fe、Si、C
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考题 铝的质量由（）的杂质含量来评定。A、Si；Fi；CaB、Si；Fe；CuC、Si；Fe；SD、Si；Fe；Mg
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考题 填空题由于O2在SiO2中的扩散率远（）于Si 在SiO2中的扩散率，所以氧化反应是由O2穿过SiO2层，在（）界面与Si原子反应。相同温度下，湿氧氧化速率（）于干氧氧化速率，是因为在SiO2中，H2O比O2有更（）的扩散率和溶解度。由于N2和Si在Si3N4中的扩散率都很（），所以很难在Si衬底上热生长Si3N4。通常在Si衬底上用（）法沉积Si3N4薄膜。
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