考题
可控硅的三个极分别称为集电极、基极、控制极。()
此题为判断题(对，错)。
考题
绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为( )。
A.发射极，基极，集电极；B.发射极，栅极，集电极；C.源极，栅极，漏极；D.阴极，门极，阳极。
考题
晶体管的三个电极分别称为()极、()极和()极,它们分别用字母()、()和()来表示。
考题
晶体三极管有三个电极，分别为基极、（）和集电极。
考题
可控硅内部由（）半导体交叠而成，有（）PN结，外部引出三个电极，分别称为阴极、阳极和控制极（又称门极）。
考题
可控硅的三个极分别称为（）。A、基极、集电极、发射极B、阳极、阴极、控制极C、基极、集电极、控制极D、阴极、阳极、基极
考题
晶体三极管有三个电极，分别称为（）、（）和（）。
考题
IGBT器件具有（）。A、门极B、阳极C、发射极D、集电极
考题
MOSFET的三个电极分别为（）、（）和（）。
考题
三极管的三个电极分别称为（）极、（）极、（）极，分别用字母C、B、E表示。
考题
晶闸管外部引出的三个电极分别称为（）极、（）极和（）极。
考题
已知某NPN型晶体管处于放大状态，测得其三个电极的电位分别为6V、9V和6.3V，则三个电极分别为（）。A、发射极、基极和集电极B、基极、发射极和集电极C、集电极、基极和发射极
考题
下列不是IGBT的电极是（）。A、GB、CC、ED、B
考题
普通晶闸管外部有三个电极，分别是基极、发射极和集电极。
考题
IGBT是三端器件，三个引出电极分别是（）极、集电极和发射极。
考题
IGBT是三端器件，三个引出电极分别是栅极、（）极和发射极。
考题
IGBT的3个引出电极分别是（）A、阳极、阴极、门极B、阳极、阴极 栅极C、栅极、源极 漏极D、发射极、栅极、集电极
考题
填空题IGBT是三端器件，三个引出电极分别是栅极、（）极和发射极。
考题
判断题普通晶闸管外部有三个电极，分别是基极、发射极和集电极。A
对B
错
考题
单选题IGBT的3个引出电极分别是（）A
阳极、阴极、门极B
阳极、阴极 栅极C
栅极、源极 漏极D
发射极、栅极、集电极
考题
填空题IGBT是三端器件，三个引出电极分别是（）极、集电极和发射极。
考题
填空题晶体三极管有三个电极，分别称为（）、（）和（）。
考题
单选题下列不是IGBT的电极是（）。A
GB
CC
ED
B
