考题
晶体管器件类型中"X"表示低频大功率管。()
此题为判断题(对，错)。
考题
硅NPN型高频小功率极管3DG4D，其中G代表（ ）。A.三极管B.NPN硅材料C.高频小功率管D.序号
考题
2CK表示是（）；2CZ表示是（）；2DW表示是（）；3AX表示是（）材料，（）型低频小功率管；3DG表示是（）材料，（）型高频小功率管。
考题
某半导体型号标明为3AD50C，其含义表示（）。A、锗材料PNP型管B、低频大功率管C、硅材料NPN型管D、A和B
考题
对硅三极管性能描述正确的是（）。A、多数是PNP管子B、受温度影响小C、性能稳定D、不适合制造大功率管E、使用较为广泛
考题
三极管3DG130C是（）。A、高频小功率PNP型锗管B、高频大功率NPN型锗管C、低频小功率PNP型硅管D、高频小功率NPN型硅管
考题
一只三极管型号为3DG130C，它表示（）。A、PNP型硅材料高频小功率三极管B、NPN型硅材料高频小功率三极管C、PNP型硅材料低频小功率三极管D、NPN型硅材料低频小功率三极管
考题
晶体三极管3AX中X表示（）。A、高频小功率管B、高频大功率管C、低频小功率管D、低频大功率管
考题
晶体管调节器，如果激励电流随着转速升高而增加，则（）。A、大功率管短路B、小功率管，稳压管短路C、调节器是好的D、大功率管断路
考题
硅NPN型高频小功率极管3DG4D，其中G代表（）。A、三极管B、NPN硅材料C、高频小功率管D、序号
考题
3DG4C表示（）A、NPN型硅材料高频小功率三极管；B、PNP型硅材料高频小功率三极管；C、NPN型锗材料高频大功率三极管；D、PNP型锗材料低频小功率三极管
考题
3DA101表示（）A、NPN型硅材料高频小功率三极管；B、PNP型锗材料低频小功率三极管；C、NPN型硅材料高频大功率三极管；D、PNP型锗材料低频大功率三极管；
考题
型号为3DG21的半导体三极管，是硅材料的NPN型高频小功率管。
考题
3AD18A、表示（）A、NPN型锗材料高频小功率三极管；B、PNP型锗材料低频大功率三极管；C、NPN型硅材料低频小功率三极管；D、NPN型硅材料高频小功率三极管
考题
国产晶体管3DG系列表示（）。A、硅材料NPN型高频小功率三极管B、锗材料PNP型高频大功率三极管C、硅材料NPN型低频小功率三极管D、锗材料PNP型低频大功率三极管
考题
根据国产半导体器件命名方法可知，3DG6为（）A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
考题
把功率管固定在（）上，能大大（）功率管的极限功耗。
考题
根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为（）。A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
考题
三极管3AC30C其中AC含义正确的是（）。A、NPN型硅材料，低频大功率管B、NPN型锗材料，高频大功率管C、PNP型硅材料，高频大功率管D、PNP型锗材料，高频大功率管
考题
三极管3AC30C其中AC含义正确的是（）。A、NPN型硅材料，低频大功率管B、NPN型锗材料，高频大功率管C、PNP型硅材料，高频大功率管D、PNP型锗材料，低频大功率管
考题
单选题按功率来分，晶体管可分为（）。A
大功率管B
中功率管C
小功率管D
以上都是
考题
单选题晶体三极管3DA的器件类别是（）A
低频小功率管B
高频大功率管C
高频小功率管D
低频大功率管
考题
单选题某半导体型号标明为3AD50C，其含义表示（）。A
锗材料PNP型管B
低频大功率管C
硅材料NPN型管D
A和B
考题
单选题硅NPN型高频小功率极管3DG4D，其中G代表（）。A
三极管B
NPN硅材料C
高频小功率管D
序号
考题
单选题晶体管调节器，如果激励电流随着转速升高而增加，则（）。A
大功率管短路B
小功率管，稳压管短路C
调节器是好的D
大功率管断路
