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霍尔效应是指()作用于载流金属导体、半导体中的载流子时产生横向电位差的物理现象
- A、场强
- B、电磁
- C、磁感应
- D、磁场
参考答案
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考题
当在半导体的晶体结构上加以压力,会暂时改变晶体结构的对称性,因而改变了半导体的导电结构,表现为它的电阻率ρ的变化,这一物理现象称为()A、压电电阻效应B、光电效应C、电磁感应D、霍尔效应
考题
霍尔效应的原理是:当电流I通过在磁场中的半导体基片(即霍尔元件),且电流方向与磁场方向垂直时,在垂直于电流与磁通的半导体基片的横向侧面,即产生下一个与电流和磁感应强度成正比的()。A、电流B、电压C、电感D、电场
考题
单选题霍尔效应是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时,产生()的物理现象。A
横向电位差B
纵向电位差C
横向电流D
纵向电流
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